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TL431IDBVRE4  TL431ILP  TL431IDRG4  TL431MJGB  TL431IDBVT  TL431ILP  TL431ILPR  TL431ILPR  TL431MFKB  TL431IDBZR  
ECH8617 P沟道MOSFET硅通用开关设备 (P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device)
.型号:   ECH8617
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描述: P沟道MOSFET硅通用开关设备
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
文件大小 :   40 K    
页数 : 4 页
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品牌   SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
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100%
ECH8617
--1.5
ID - VDS
0V
--3.0
ID - VGS
VDS = --10V
5.0
--
V
10
.0V
--6
.0V
--5
.
--1.2
.0V
--4
.0V
--3
--2.5
漏极电流ID -
--0.9
--2.5V
V GS =
漏极电流ID -
--2.0
--0.6
--1
--1.5
--1.0
TA 〜
75
°
C
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--0.3
--0.5
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--2.5
25
°
--3.0
C
--25
°
C
--3.5
IT10610
漏极至源极电压VDS - V
1000
IT10609
RDS ( ON) - VGS
栅极 - 源极电压VGS - V
1000
RDS ( ON) - TA
Ta=25
°
C
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
静态漏 - 源
通态电阻, RDS ( ON) - 毫欧
900
800
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
--1A
700
600
500
400
300
200
100
0
0
ID = --0.5A
=
ID
.5
--0
A,
V
-4V
=-
GS
1.
= --
ID
0A
,
10
= --
V GS
V
--
2
--
4
--
6
--
8
--
10
--
12
--
14
--
16
栅极 - 源极电压VGS - V
IT10611
10
y
fs - ID
环境温度,钽 -
°C
7
5
3
2
IT10612
IS - VSD
VGS=0V
正向转移导纳,
y
fs - S
7
5
3
2
VDS = --10V
TA 〜
75
°
C
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT10614
0.1
--
0.01
2
3
5
7
--
0.1 2 3 5 7
--
1.0
漏极电流ID -
2
3
5
7
--0.001
--0.2
IT10613
2
1000
7
5
SW时间 - ID
西塞,科斯,的Crss - VDS
f=1MHz
西塞
二极管的正向电压, VSD - V
VDD = --50V
VGS = --10V
切换时间, SW时间 - NS
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
--
0.01
2
3
5 7
TD (关闭)
西塞,科斯,的Crss - pF的
3
2
1000
7
5
3
2
tf
TD (上)
100
7
5
3
2
tr
--
0.1 2 3 5 7
--
1.0
漏极电流ID -
2
3
5 7
IT10615
0
--5
--10
25
°
1.0
科斯
CRSS
--15
--20
--25
--30
IT10616
漏极至源极电压VDS - V
--25
°
=
Ta
--2
--0.1
7
5
3
2
C
C
5
°
C
°
C
75
°
C
25
源出电流,是 - 个
--1.0
7
5
3
2
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