电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
ECH8617 P沟道MOSFET硅通用开关设备 (P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device)
.型号:   ECH8617
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: P沟道MOSFET硅通用开关设备
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
文件大小 :   40 K    
页数 : 4 页
Logo:   
品牌   SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
购买 :   
  浏览型号ECH8617的Datasheet PDF文件第1页 浏览型号ECH8617的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号ECH8617的Datasheet PDF文件第3页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
ECH8617
--
10
栅极 - 源极电压VGS - V
VGS - 的Qg
VDS = --50V
--
9
ID = --1.5A
--
8
漏极电流ID -
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
ASO
IDP = --12A
≤10µs
10
--
7
--
6
--
5
--
4
--
3
--
2
--
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
IT10617
1m
ID = --1.5A
10
0
µ
s
s
DC
op
10
ms
ERA
0m
TIO
s
操作在此
区域由的RDS(on )的限制。
n(
Ta
=
25
°
C
)
--0.01
--0.1
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板( 900毫米
2
!0.8mm)
1unit
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
2
总栅极电荷QG - 数控
1.8
PD - TA
安装在陶瓷板( 900毫米
2
!0.8mm)
漏极至源极电压VDS - V
IT10618
允许功耗, PD - 含
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
To
TAL
Di
ss
1u
ip
NIT
ATI
on
60
80
100
120
140
160
环境温度,钽 -
°C
IT10619
注意使用情况:由于ECH8617是MOSFET产品,请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何规范,并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能,特点和所描述的产品在独立的国家职能,
并且不保证的性能,特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状,并指出不能
在一个独立的设备进行评估,客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而,任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的,这些概率的故障
可能引起事故或事件,危及人的生命,这可能会引起冒烟或
火,或可能造成损害的其他财产。在设计产品时,必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计,多余的设计和结构设计,电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品(包括技术数据和服务)
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规,控制,
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或任何方式,包括电子
或机械,包括影印和记录,或任何信息存储或检索系统,
或以其他方式,没有三洋半导体有限公司的事先书面许可,
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高,等等。当设计产品时,请参考"Delivery Specification"
为三洋半导体产品,你打算使用。
本文信息(包括电路图和电路参数)例如仅它不是
为保证批量生产。三洋半导体相信本文资料是准确的
并对其使用在任何违反可靠,但不保证作出或暗示的保证
知识产权或其它第三方权利。
该目录规定的1月, 2006年规范和信息此处如有
更改,恕不另行通知。
PS第A0297-4 / 4
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7