电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
ST90R40C6  ST90T158LV  ST90E31  ST901T  ST90E158M9LVG0  ST700C20L1L  M24C04-WBN6T/G  MI-P6T0-IXZ  ST700C18L1  M24C08-WMN6T/G  
ECH8618 N沟道MOSFET硅通用开关设备 (N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device)
.型号:   ECH8618
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: N沟道MOSFET硅通用开关设备
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
文件大小 :   40 K    
页数 : 4 页
Logo:   
品牌   SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
购买 :   
  浏览型号ECH8618的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号ECH8618的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号ECH8618的Datasheet PDF文件第4页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
订购数量: ENA0298
ECH8618
三洋半导体
数据表
N沟道MOSFET硅
ECH8618
特点
通用开关设备
应用
超高速开关。
4V的驱动器。
复合型,促进高密度安装。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
安装在陶瓷板( 900毫米
!0.8mm)
1unit
2
2
条件
评级
100
±20
2
12
1.3
1.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
安装在陶瓷板( 900毫米
!0.8mm)
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 100V , VGS = 0V
VGS = ± 16V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V , ID = 1A
ID = 1A , VGS = 10V
ID = 0.5A , VGS = 4V
VDS = 20V , F = 1MHz的
VDS = 20V , F = 1MHz的
VDS = 20V , F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
100
1
±10
1.2
1.6
2.7
200
230
650
42
29
11.5
4.9
67
23
260
325
2.6
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记: FL
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性,如生命支持系统的应用,
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前,
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数)
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1​​丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
80906 / 12506PE MS IM TB- 00001933号A0298-1 / 4
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7