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ECH8620 N沟道和P沟道MOSFET的硅通用开关设备 (N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device)
.型号:   ECH8620
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描述: N沟道和P沟道MOSFET的硅通用开关设备
N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device
文件大小 :   68 K    
页数 : 6 页
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品牌   SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
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100%
订购数量: ENA0659
ECH8620
三洋半导体
数据表
N沟道和P沟道MOSFET的硅
ECH8620
特点
通用开关设备
应用
该ECH8620集成了一个N沟道MOSFET和P沟道MOSFET,具有低导通电阻和
超高速的切换,从而可实现高密度安装。
4V的驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
安装在陶瓷板( 900毫米
✕0.8mm)
1unit
2
条件
N沟道
100
±20
2
12
1.3
1.5
150
2
P沟道
--100
±20
--1.5
-
-12
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
安装在陶瓷板( 900毫米
✕0.8mm)
--55到150
电气特性
在TA = 25℃
参数
[ N沟道]
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 100V , VGS = 0V
VGS = ± 16V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V , ID = 1A
ID = 1A , VGS = 10V
ID = 0.5A , VGS = 4V
1.2
1.6
2.7
200
230
260
325
100
1
±10
2.6
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
符号
条件
评级
典型值
最大
单位
标记: FN
接下页。
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