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1N5148  1N5141A  1N5115  1N5105  1N5143A  1N5142A  1N5098  1N5140A  1N5147A  1N5141A  
ECH8621R N沟道MOSFET硅通用开关设备 (N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device)
.型号:   ECH8621R
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描述: N沟道MOSFET硅通用开关设备
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
文件大小 :   39 K    
页数 : 4 页
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品牌   SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
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100%
订购数量: EN8718
ECH8621R
三洋半导体
数据表
N沟道MOSFET硅
ECH8621R
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
最适合于锂离子电池的应用。
2.5V驱动器。
复合型,促进高密度安装。
排水常用规格。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ,值班cycle≤1 %
安装在陶瓷板( 900毫米
2
!0.8mm)
1unit
安装在陶瓷板( 900毫米
2
!0.8mm)
条件
评级
20
±12
8
40
1.4
1.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
符号
V( BR ) DSS
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
RDS(on)4
西塞
科斯
CRSS
条件
ID = 1mA时, VGS = 0V
VDS = 20V , VGS = 0V
VGS = ± 8V , VDS = 0V
VDS = 10V ,ID = 1毫安
VDS = 10V ,ID = 4A
ID = 4A , VGS = 4.5V
ID = 4A , VGS = 4.0V
ID = 4A , VGS = 3.1V
ID = 2A , VGS = 2.5V
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
VDS = 10V , F = 1MHz的
评级
20
1
±10
0.5
6.6
11
11.2
12
13.2
11
15.5
16
18.5
22
1250
240
210
20
21
24
30
1.3
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
标记: WF
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性,如生命支持系统的应用,
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前,
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数)
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 , 1-10 , 1​​丁目,上野,台东区,东京, 110-8534 JAPAN
82306 / 62006PE MS IM TB- 00002065 No.8718-1 / 4
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