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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N3237
描述
·采用TO-3封装
·卓越的安全工作区
·低集电极饱和电压
应用
·对于功率放大器和开关
电路中的应用
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
描述
绝对最大额定值
(Ta=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
90
90
5
20
7.5
200
150
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
0.875
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 10A ;我
B
=1.0A
I
C
= 20A ;我
B
=4.0A
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
V
CE
= 45V ;我
B
=0
V
CB
= 90V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
I
C
= 20A ; V
CE
=4V
40
15
5
90
典型值。
2N3237
符号
V
CEO ( SUS )
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE(上)
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
最大
单位
V
1.4
4.0
2.2
1.0
0.1
0.1
V
V
V
mA
mA
mA
60
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N3237
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
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