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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6514
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
·低集电极饱和电压
应用
·对于开关电源的使用
应用程序和其他电感
开关电路
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
350
300
7
7
14
120
150
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.25
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
典型值。
2N6514
符号
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
300
V
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
=0.4A
1.0
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CE
=350V; V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=100
V
EB
= 7V ;我
C
=0
1.5
0.1
1.5
0.1
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=3V
10
50
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
3
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6514
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
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