电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
DFB2510  DFB2560  DFB2540  DFB2580  DFB2520  DFB2505  DFB25100  
PZT13003 1.5A , 700V NPN硅中功率晶体管 (1.5A , 700V NPN Silicon Medium Power Transistor)
.型号:   PZT13003
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 1.5A , 700V NPN硅中功率晶体管
1.5A , 700V NPN Silicon Medium Power Transistor
文件大小 :   421 K    
页数 : 2 页
Logo:   
品牌   SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
购买 :   
  浏览型号PZT13003的Datasheet PDF文件第2页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
PZT13003
公司Bauelemente
1.5A , 700V
NPN硅中功率晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
SOT-223
A
M
4
用于AF的驱动级和输出级
电源开关应用
分类h及
FE
产品等级
范围
PZT13003-A
8~20
PZT13003-B
15~30
PZT13003-C
25~40
顶视图
CB
1
2
3
K
E
L
D
包装信息
SOT-223
MPQ
2.5K
负责人尺寸
13英寸
F
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
6.20
6.70
6.70
7.30
3.30
3.70
1.42
1.90
4.50
4.70
0.60
0.82
H
REF 。
G
H
J
K
L
M
毫米
分钟。
马克斯。
-
0.10
-
-
0.25
0.35
-
-
2.30 REF 。
2.90
3.10
J
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J,
T
英镑
评级
700
450
9
1.5
1.25
150, -55~150
单位
V
V
V
A
W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射基截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
ON- TIME
贮存时间
下降时间
跃迁频率
1
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
T
(上)
t
S
t
f
f
T
分钟。
700
450
9
马克斯。
单位
V
V
V
测试条件
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 1mA时,我
C
=0
V
CB
= 700V ,我
E
=0
V
EB
= 9V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=0.5A
I
C
= 1A ,我
B
=250mA
I
C
= 1A ,我
B
=250mA
V
CE
= 10V ,我
C
=2A
I
B1
=I
B2
=400mA
V
CE
= 10V ,我
C
= 500毫安, F = 1.0MH
Z
0.1
0.05
8
40
1
1.2
1
4
0.7
4
mA
mA
V
V
μS
μS
μS
兆赫
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
19 -JAN- 2012版本A
第1页2
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7