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3P3230390  3P4210392  3P3230900  0876962011  327AT060XW18  3P4233A02  3P3230A92  3P3233392  327AT060XW22  3P3233390  
PZT157 PNP晶体管的硅平面高性能晶体管 (PNP Transistor Silicon Planar High Performance Transistor)
.型号:   PZT157
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描述: PNP晶体管的硅平面高性能晶体管
PNP Transistor Silicon Planar High Performance Transistor
文件大小 :   777 K    
页数 : 2 页
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品牌   SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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100%
PZT157
公司Bauelemente
PNP晶体管
硅平面高性能
晶体管
符合RoHS产品
描述
该PZT157是专为一般
目的开关和放大器
应用程序。
SOT-223
特点
*
3
安培连续电流
*
-60伏V
首席执行官
*低饱和电压
1 5
7
REF 。
A
C
D
E
I
H
毫米
分钟。
马克斯。
6.70
7.30
2.90
3.10
0.02
0.10
0C
10 C
0.60
0.80
0.25
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
最大额定值* (T
AMB
= 25℃,除非另有规定)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
结温和存储温度
o
o
毫米
分钟。
马克斯。
13吨YP 。
C
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
参数
价值
-80
-60
-5
-3
-6
2
-55~+150
单位
V
V
V
A
W
O
I
C
P
D
T
J,
T
英镑
C
电气特性环境温度Tamb = 25
C
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
集电极饱和电压
基本饱和电压
基射极电压
符号
BV
CBO
* BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
*V
CE
(sat)1
*V
CE
(sat)2
*V
BE
(SAT)
*V
BE
(上)
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
*h
FE
4
fT
C
ob
T
on
T
关闭
-80
-60
-5
-
-
-
-
-
-
70
100
80
40
100
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-150
-450
-0.9
-0.8
200
200
170
150
140
-
40
450
最大
-
-
-
-100
-100
-300
-600
-1.25
-1.0
-
300
-
-
-
30
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
mV
V
V
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -10mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -60V ,我
E
=0
V
EB
= - 4V ,我
C
=0
I
C
=-1A,I
B
=-100mA
I
C
=-3A,I
B
=-300mA
I
C
=-1A,I
B
=-100mA
I
C
=-1A,V
CE
=-2V
V
CE
= - 2 V,I
C
= -50毫安
V
CE
= - 2 V,I
C
=-500mA
V
CE
= - 2 V,I
C
=- 1A
V
CE
= - 2 V,I
C
=- 2A
V
CE
= - 5 V,I
C
= -100mA , F = 100MHz的
,
V
CB
= -10 V , F = 1MHz的
V
CC
=-10V,I
C
= - 500毫安,我
B1
=I
B2
= - 50毫安
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
ON- TIME
关断时间
MH ž
pF
nS
*脉冲条件下测得的。脉冲宽度
300
µ
S,占空比
2%
辣妹参数数据可应要求提供此设备。
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2
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