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描述:
PZT158 硅平面高电流晶体管 (Silicon Planar High Current Transistor)
.型号:   PZT158
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描述: 硅平面高电流晶体管
Silicon Planar High Current Transistor
文件大小 :   679 K    
页数 : 2 页
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品牌   SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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100%
PZT158
公司Bauelemente
NPN晶体管
硅平面高电流
晶体管
符合RoHS产品
描述
该PZT158是专为一般
目的开关和放大器
应用程序。
SOT-223
特点
* 6安培连续电流高达
20安培峰值电流
*优异的增益特性,
最多指定10安培
*非常低饱和电压
1 5 8
REF 。
A
C
D
E
I
H
分钟。
6.70
2.90
0.02
0C
0.60
0.25
马克斯。
7.30
3.10
0.10
10 C
0.80
0.35
REF 。
B
J
1
2
3
4
5
最大额定值* (T
AMB
= 25℃,除非另有规定)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
结温和存储温度
o
o
分钟。
马克斯。
13吨YP 。
C
2.30 REF 。
6.30
6.70
6.30
6.70
3.30
3.70
3.30
3.70
1.40
1.80
参数
价值
150
60
6
6
20
3
-55~-150
单位
V
V
V
A
W
O
I
C
P
D
T
J,
T
英镑
C
*可以消散假设设备的电源被安装在一个典型的PCB上与铜等于4平方英寸分钟..
电气特性环境温度Tamb = 25
C
除非另有
特定网络版
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
符号
BV
CBO
* BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
*V
CE
(sat)1
*V
CE
(sat)2
*V
CE
(sat)3
*V
CE
(sat)4
*V
BE
(SAT)
*V
BE
(上)
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
*h
FE
4
fT
C
ob
T
on
T
关闭
150
60
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
75
25
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
-
-
130
45
45
1100
最大
-
-
-
50
50
10
50
100
170
375
1.2
1.15
-
300
-
-
-
-
-
-
2%
UNI
V
V
V
nA
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
= 120V ,我
E
=0
V
CES
=60V
集电极饱和电压
基本饱和电压
基射极电压
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
ON- TIME
关断时间
V
EB
= 6V ,我
C
=0
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 1A ,我
B
= 50毫安
mV
I
C
= 2A ,我
B
= 50毫安
I
C
= 6A ,我
B
= 300毫安
V
I
C
= 6A ,我
B
= 300毫安
V
V
CE
= 1V ,我
C
= 6A
V
CE
= 1V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 2A
V
CE
= 1V ,我
C
= 5A
V
CE
= 1V ,我
C
= 10A
MH ž V
CE
= 10V ,我
C
= 100mA时F = 50MHz的
,
pF的V
CB
= 10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
nS
V
CC
=10V,I
C
=1A,I
B1
=I
B2
=100mA
*脉冲条件下测得的。脉冲宽度
http://www.SeCoSGmbH.com
300秒,占空比
辣妹参数数据可应要求提供此设备。
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2
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