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描述:
74LCX541WM  IDT54240ATPB  SN54221J  MM74HCT541WM  SNJ54221J  PSD954220JT  SN54221  IDT542240ATQ  MI-P542-IXW  PSD854220JIT  
PZT159 高电流晶体管 (High Current Transistor)
.型号:   PZT159
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描述: 高电流晶体管
High Current Transistor
文件大小 :   558 K    
页数 : 2 页
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品牌   SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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100%
PZT159
公司Bauelemente
符合RoHS产品
PNP硅平面
高电流晶体管
特点
* 5安培连续电流,高达15安培的峰值电流。
*指定多达10安培出色的增益特性。
*非常低饱和电压
3.56
SOT-223
0.95±0.05
0.
0.30± 03
R0.15
R0.15
机械数据
案例:
SOT- 223塑料包装
重量:
约。 0.021克
标识代码:
159
C
0.25
±
12°1°
0.55
±
12°1°
1.6±0.2
E
C
B
1
1.
2.
2
BASE
集热器
辐射源
3
±
6° 3°
(T
A
= 25
O
C除非另有说明)
参数
结温
最大额定值和热特性
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
D
3.
-
价值
+150
-55到+150
-
100
-
60
单位
O
O
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
注意事项:
装置在氧化铝衬底上。
C
C
V
V
V
A
A
W
-6
-5
-15
3.0
电气特性S
(T
J
= 25
C
O
除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
( W /实际设备限制)
符号
BV
CBO
BV
CER
* BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CER
I
EBO
*V
CE
(sat)1
*V
CE
(sat)2
*V
CE
(sat)3
*V
CE
(sat)4
*V
BE
(SAT)
*V
BE
(上)
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
*h
FE
4
fT
C
ob
-100
-100
-60
-6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
100
75
10
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-20
-85
-155
-370
-1.08
-0.935
200
200
90
25
120
74
最大
-
-
-
-
-50
-50
-10
-50
-140
-210
-460
-1.24
-1.07
-
300
-
-
-
-
UNI
V
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
V
V
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -1ìA ,R
B
=1KΩ
I
C
= -100mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -80V ,我
E
=0
V
CB
= -80V , R≤1kΩ
V
EB
= -6V ,我
C
=0
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
I
C
= -2A ,我
B
=-200mA
I
C
= -5A ,我
B
=-500mA
I
C
= -5A ,我
B
=-500mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-5A
V
CE
= -1V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-2A
V
CE
= -1V ,我
C
=-5A
V
CE
= -1V ,我
C
=-10A
V
CE
= -10V ,我
C
=-100mA,
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
的说明书中的任何改变将不被通知个人
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极截止电流
( W /实际设备限制)
发射基截止电流
集电极饱和电压1
集电极饱和电压2
集电极饱和电压3
集电极饱和电压4
基本饱和电压
基射极电压
直流电流增益1
直流电流增益2
直流电流增益3
直流电流增益4
增益带宽积
输出电容
http://www.SeCoSGmbH.com
MH
pF
01君2002年修订版A
第1页2
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