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BAT54ATB  BAT54S  BAT54ATBL-AN3-R  BAT54CWG-AL3-R  BAT54SDWL-AL6-R  BAT54SL-AE3-R  BAT54L-AE3-R  BAT54CDWL-AL6-R  BAT54CDW  BAT54AW  
PZT195 中功率晶体管 (Medium Power Transistor)
.型号:   PZT195
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描述: 中功率晶体管
Medium Power Transistor
文件大小 :   431 K    
页数 : 2 页
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品牌   SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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100%
PZT195
公司Bauelemente
PNP硅平面
中功率晶体管
符合RoHS产品
特点
* -60电压V
首席执行官
.
* 1安培的持续电流。
*为了配合PZT194
SOT-223
机械数据
案例:
SOT- 223塑料包装
重量:
约。 0.021克
标识代码:
195
C
E
B
C
1
1.
2.
2
BASE
集热器
辐射源
3
最大额定值和热特性
(T
A
= 25
O
C除非另有说明)
参数
符号
Tj
TSTG
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
D
3.
结温
储存温度
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
注意事项:
装置在氧化铝衬底上。
-
价值
+150
-55到+150
-
80
-
60
单位
O
O
C
C
V
V
A
A
V
-5
-
1
-0.2
2.0
W
电气特性
(T
J
= 25
C
O
除非另有说明)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极Emmiter击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
集电极饱和电压1
集电极饱和电压2
基本饱和电压
基射极电压
直流电流增益1
直流电流增益2
直流电流增益3
直流电流增益4
增益带宽积
输出电容
http://www.SeCoSGmbH.com
符号
BV
CBO
* BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
EBO
*V
CE ( SAT )
1
*V
CE ( SAT )
2
*V
BE ( SAT )
*V
BE(上)
*h
FE
1
*h
FE
2
*h
FE
3
*h
FE
4
fT
COB
-80
-60
-5
-
-
-
-
-
-
-
100
100
80
15
150
-
TYP 。 MAX
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-100
-100
-100
-0.3
-0.6
-1.2
-1.0
-
300
-
-
-
10
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
-
-
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -100uA ,我
E
=0
I
C
= -10mA ,我
B
=0
I
E
= -100uA ,我
C
=0
VCB = -60V , IE = 0
VCES=-60V
VEB = -4V , IC = 0
IC = -500mA , IB = -50mA
IC = -1A , IB = -100mA
IC = -1A , IB = -100mA
VCE = -5V , IC = -1A
VCE = -5V , IC = 1毫安
VCE = -5V , IC = -500mA
VCE = -5V , IC = -1A
VCE = -5V , IC = -2A
VCE = -10V , IC = -50mA , F = 100MHz的
VCB = -10V , IE = 0 , F = 1MHz的
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2
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