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XC6111D335  XC6111D331  XC6111E643  XC6111E635  XC6111D316  XC6111E633  XC6111E541  XC6111E621  XC6111E531  XC6111D330  
PZT2222A 通用晶体管 (General Purpose Transistor)
.型号:   PZT2222A
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描述: 通用晶体管
General Purpose Transistor
文件大小 :   157 K    
页数 : 4 页
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品牌   SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
购买 :   
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100%
PZT2222A
公司Bauelemente
符合RoHS产品
NPN硅
通用晶体管
SOT-223
C
1.
BASE
集热器
辐射源
特点
E
2.
3.
功耗
P
CM
: 1 W环境温度Tamb = 25
B
C
集电极电流
I
CM
: 0.6 A
集电极 - 基极电压
V
( BR ) CBO
: 75 V
工作和存储结温范围
T
J
T
英镑
: -55至+150
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
1
除非
TEST
IC = 10
A
2
3
单位:mm
Tamb=25
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
否则
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
I
E
=0
I
C
=0
I
C
= 0.1毫安
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 150毫安
特定网络版
75
40
6
0. 01
0. 01
35
50
75
100
50
40
1
0.3
2.0
0.6
300
1.2
V
V
V
V
兆赫
300
最大
单位
V
V
V
A
A
条件
IC = 10毫安
I
E
=10
A
V
CB
=60V ,
V
EB
= 3V ,
V
CE
=10V,
V
CE
=10V,
V
CE
=10V,
V
CE
=10V,
V
CE
=1V,
V
CE
=10V,
直流电流增益
h
FE(3)
h
FE(4)
h
FE(5)
h
FE(6)
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
(SAT)
V
CE
(SAT)
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 150毫安,我
B
=15mA
V
CE
=20V,
I
C
= 20mA下
基射极饱和电压
V
BE
(SAT)
V
BE
(SAT)
跃迁频率
f
T
C
ob
t
d
t
r
t
S
t
f
f=
100MHz
V
CB
=10V,
I
E
= 0
输出电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
http://www.SeCoSGmbH.com
f=
1MHz
V
CC
= 30V ,我
C
=150mA
V
BE (OFF)的
=0.5V,I
B1
=15mA
V
CC
= 30V ,我
C
=150mA
I
B1
= I
B2
= 15毫安
8
10
25
225
60
pF
nS
nS
nS
nS
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页4
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