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描述:
L630-0UR-120AM  VI-BN4-CV  L630-0UR-120AW  L630-0UY-028S  VI-BN3-MW  L631C  VI-BN3-MX  CS8900-CQ  VI-BN3-EY  VI-BN4-IY  
SMS840 0.13A , 50V , RDS ( ON) 10 ? P沟道增强型MOSFET (0.13A , 50V , RDS(ON) 10 P-Channel Enhancement MOSFET)
.型号:   SMS840
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描述: 0.13A , 50V , RDS ( ON) 10 ? P沟道增强型MOSFET
0.13A , 50V , RDS(ON) 10 P-Channel Enhancement MOSFET
文件大小 :   1139 K    
页数 : 4 页
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品牌   SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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100%
SMS840
公司Bauelemente
0.13A , 50V ,R
DS ( ON)
10
P沟道增强型MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
低导通电阻: 10
低输入电容: 30PF
低放出来电容: 10PF
低阈值: 2V
开关速度快:为2.5ns
1
SOT-23
A
L
3
3
顶视图
2
C B
1
2
K
E
D
应用
DC-DC变换器
蜂窝& PCMCIA卡
无绳电话
在便携式和电池等电源管理
P沟道
D
3
F
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
2.70
3.04
2.10
2.80
1.20
1.60
0.89
1.40
1.78
2.04
0.30
0.50
H
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
-
0.18
0.40
0.60
0.08
0.20
0.6 REF 。
0.85
1.15
J
记号
PD
G
1
S
2
包装信息
SOT-23
MPQ
3K
负责人尺寸
7寸
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源电压
连续的栅源电压
连续漏电流@T
A
=25°
C
漏电流脉冲( tp≤10us )
功耗@T
A
=25°
C
热阻,结到环境
结温和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
-50
±20
-130
-520
225
556
-55~150
单位
V
V
mA
mA
mW
°
C / W
°
C
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
25 -NOV- 2011版本A
第1页4
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