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TP0202K_06  TP0101K_05  TP0202K  TP-75A  TP-75_10  TP0101K  TP-75C  TP-75D  TP-75  TP-7503  
UMD2N NPN -PNP内置重新电阻取值多芯片晶体管数 (NPN-PNP built-in re sistors Multi-Chip Digital Transistor)
.型号:   UMD2N
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描述: NPN -PNP内置重新电阻取值多芯片晶体管数
NPN-PNP built-in re sistors Multi-Chip Digital Transistor
文件大小 :   456 K    
页数 : 3 页
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品牌   SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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100%
UMD2N
公司Bauelemente
NPN -PNP内置电阻
多芯片晶体管数
SOT-363
.055(1.40)
.047(1.20)
.026TYP
(0.65TYP)
.021REF
(0.525)REF
.096(2.45)
.085(2.15)
.053(1.35)
.045(1.15)
8
o
0
o
特点
* DTA124E和DTC124E晶体管
内置采用SOT- 363封装。
*晶体管元件是独立的,
消除干扰。
*安装成本和面积可减少一半。
(3)
(2)
R
1
R
2
DT ř
1
DT ř
2
R
2
R
1
(4)
(5)
(6)
(1)
.018(0.46)
.010(0.26)
.014(0.35)
.006(0.15)
.087(2.20)
.079(2.00)
.006(0.15)
.003(0.08)
.004(0.10)
.000(0.00)
.039(1.00)
.035(0.90)
.043(1.10)
.035(0.90)
R
1
=R
2
=22K
尺寸以英寸(毫米)
标记: D2
电气特性(环境温度Tamb = 25℃ ,除非另有规定)
O
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C(最大值)
Pd
Tj
TSTG
范围
50
-10~40
30
-100
150(TOTAL)
150
-55~150
单位
V
V
mA
mW
电气特性(Ta = 25℃)
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
56
15.4
0.8
22
1
250
28.6
1.2
兆赫
V
CE
= 10V ,我
E
=-5mA,f=100MHz
KΩ
3
0.3
0.36
0.5
分钟。
典型值
马克斯。
0.5
单位
V
V
mA
µA
条件
V
CC
= 5V ,我
O
=100μA
V
O
= 0.2V ,我
O
=10mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V, V
I
=0
V
O
=5V,I
O
=5mA
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的说明书中的任何改变将不被通知个人
01 -JAN- 2006版本A
第1页3
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