元器件型号: | BDS20 |
生产厂家: | SEME LAB |
描述和应用: | SILICON EPIBASE NPN DARLINGTON TRANSISTOR |
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型号参数:BDS20参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | SEMELAB LTD |
零件包装代码 | TO-276AB |
包装说明 | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.63 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 1000 |
JEDEC-95代码 | TO-276AB |
JESD-30 代码 | R-CBCC-N3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 8 MHz |
Base Number Matches | 1 |
SILICON EPIBASE NPN DARLINGTON TRANSISTOR
硅NPN EPIBASE达林顿晶体管