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硅平面外延
PNP晶体管
BDS18SMD05
高压
密封陶瓷表面贴装封装
非常适用于电源线​​,开关
和通用应用
筛选选项可用
绝对最大额定值
( TC = 25 ° C除非另有说明)
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PD
TJ
TSTG
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
基极电流
TC
75°C
在总功率耗散
减免上述75℃
结温范围
存储温度范围
-120V
-120V
-5V
-8A
-2A
80W
0.64W/°C
-65到+ 200℃
-65到+ 200℃
热性能
符号
R
θJC
参数
热阻,结到外壳
马克斯。
1.56
单位
° C / W
**该数据表文件取代3346
Semelab有限公司保留随时更改测试条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠,在即将出版的时间。但
Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户
验证数据表是在下订单之前电流。
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考文垂路,拉特沃思,莱斯特郡, LE17 4JB
电话:+44( 0 ) 1455 556565
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硅平面外延
PNP晶体管
BDS18SMD05
电气特性
( TC = 25 ° C除非另有说明)
符号
V( BR ) CEO
ICEO
ICBO
IEBO
的hFE
(1)
(1)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流传输
测试条件
IC = -10mA
VCE = -60V
VCB = -120V
VEB = -5V
IC = -0.5A
IC = -4A
IC = -0.5A
IC = -4A
IC = -1.0A
IB = 0
IB = 0
IE = 0
IC = 0
VCE = -2V
VCE = -2V
IB = -0.05A
IB = -0.4A
VCE = -2V
分钟。
-120
典型值
马克斯。
单位
V
-0.1
-20
-10
40
15
250
150
-0.4
-1.5
-1.4
mA
µA
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
(1)
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极电压
V
(1)
动态特性
fT
跃迁频率
IC = -0.5A
F = 5MHz时
开启时间
贮存时间
下降时间
IC = -2A
IB1 = -0.2A
IC = -2A
VCC = -80V
VCC = -80V
0.5
µs
1.5
0.3
VCE = -4V
10
兆赫
ts
tf
IB1 = - IB2 = -0.2A
笔记
(1 )脉冲宽度
300us,
δ ≤
2%
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硅平面外延
PNP晶体管
BDS18SMD05
机械数据
尺寸mm (英寸)
7.54 (0.296)
0.76 (0.030)
分钟。
2.41 (0.095)
2.41 (0.095)
0.127 (0.005)
3.175 (0.125)
马克斯。
3.05 (0.120)
1
3
10.16 (0.400)
0.76
(0.030)
分钟。
5.72 (.225)
2
0.127 (0.005)
16台PLC
0.50(0.020)
7.26 (0.286)
0.127 (0.005)
0.50 (0.020)
马克斯。
SMD05 (TO- 276AA )
仰视图
PAD 1 =基本
垫2 - 集电极
垫3 - 发射极
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