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SKIW500/16

更新时间：2024-09-18 17:05:32

品牌：SEMIKRON

描述：Silicon Controlled Rectifier, 500A I(T)RMS, 500000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element

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SKIW500/16 概述

Silicon Controlled Rectifier, 500A I(T)RMS, 500000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element 可控硅整流器

SKIW500/16 规格参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SPECIAL SHAPE, R-XXSS-X6
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.81	其他特性：	ISOLATED WATER FLOW
外壳连接：	ISOLATED	标称电路换相断开时间：	150 µs
配置：	ANTI-PARALLEL, 2 ELEMENTS	关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us
最大直流栅极触发电流：	200 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
快速连接描述：	2G-2GR	螺丝端子的描述：	2AK
最大维持电流：	200 mA	JESD-30 代码：	R-XXSS-X6
最大漏电流：	10 mA	通态非重复峰值电流：	4000 A
元件数量：	2	端子数量：	6
最大通态电流：	500000 A	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SPECIAL SHAPE	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	500 A	断态重复峰值电压：	1600 V
重复峰值反向电压：	1600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

SKIW500/16 数据手册

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Antiparallel Thyristors

with Isolated Water Flow

V_DRM

V_RSMV_RRM

I_RMS¹⁾(Vol_w= 4 l/min., T_w= 40 °C, ED = 50 %, n = 10)

280 A

580 A

SKIW 250

SKIW 500

1200

1400

1600

SKIW 250/12

SKIW 250/14

SKIW 250/16

SKIW 500/12

SKIW 500/14

SKIW 500/16

Symbol Conditions

SKIW 250

SKIW 500

I_RMS

I_TSM

Vol_w= 4 l/min, T_w= 40 °C, ED =100 %

T_vj40 °C; 10 ms

_vj= 125 °C; 10 ms

T_vj40 °C; 8,3 ... 10 ms

T_vj= 125 °C; 8,3 ... 10 ms

250 A

500 A

1700 A

1500 A

4000 A

3400 A

i²t

14 500 A²s 80 000 A²s

11 000 A²s 58 000 A²s

(di/dt)_crf = 50 . . . 60 Hz

125 A/ µs

200 V/ µs

150 µs

200 mA

600 mA

(dv/dt)_crT_vj= 125 °C

t_q

I_H

I_L

T_vj= 125 °C; typ.

T_vj

25 °C

25 °C; R_G= 33 Ω

Features

V_T

T_vj

25 °C; (I_T= . . .); max.

2,25 V

(300 A)

1,2 V

1,75 V

(500 A)

1,0 V

•

Compact units containing two

high current thyristors

connected in antiparallel

Internal insulation between

thyristors and cooling media via

aluminium oxyde (Al₂O₃)

All plastic material used carries

Underwriters Laboratories

flammability classification 94V-0

V_T(TO)T_vj= 125 °C

r_T

T_vj= 125 °C

4 mΩ

1,5 mΩ

V_GT

I_GT

V_GD

I_GD

T_vj

25 °C

3 V

200 mA

0,25 V

10 mA

T_vj= 125 °C

R_thjw

T_vj

T_stg

V_ISOL

M₂

Vol_w= 4 l/min

max.

min. . . . max.

a.c. 50 Hz; r.m.s.; 1 min

SI units / US units

max.

0,35 °C/W 0,20 °C/W

125 °C

Typical Applications

•

Large resistance welding

equipment

5 . . . 85 °C

2500 V

20 Nm / 180 lb. in.

10 bar

•

Large electroplating equipment

p_w

1,3 kg

Case

C 1

For Vol_w= 2 l/min and T_w= 30 °C the same I_RMSvalues apply

B 4 – 3

B 4 – 4

B 4 – 5

B 4 – 6

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型号	制造商	描述	价格	文档
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