ZMM62 [SEMIKRON]
Zener Diode, 62V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, PLASTIC, MINIMELF-2;
| 型号： | ZMM62 |
| 厂家： | 
SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 描述： | Zener Diode, 62V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, PLASTIC, MINIMELF-2 |
| 文件： | 总3页 (文件大小：84K) |
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ZMM 1 … ZMM 100 ( 500mW )
Surface mount
Non-Planar Silicon Zener Diodes
Nicht-Planare Silizium Zener-Dioden
für die Oberflächenmontage
Nominal Zener voltage
Nominale Zener-Spannung
1…100 V
Standard tolerance of Zener voltage
Standard-Toleranz der Zener Spannung
.± 5 % (E24)
Plastic case MiniMELF
SOD-80
Kunststoff-Gehäuse MiniMELF
DO-213AA
Weight approx. – Gewicht ca.
0.04 g
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
see page 18
siehe Seite 18
Dimensions / Maße in mm
Marking:
One blue ring denotes “cathode” and “Z-Diode family ”
The type numbers are noted only on the lable on the reel
Ein blauer Ring kennzeichnet “Kathode” und “Z-Dioden-Familie ”
Die Typenbezeichnungen sind nur auf dem Rollenaufkleber vermerkt
Kennzeichnung:
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
500mW 1)
Power dissipation – Verlustleistung
TA = 50 /C
Ptot
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 standard (about ± 5%).
Other voltage tolerances and Zener voltages on request.
Die Standard-Toleranz der Zener-Spannung ist gestuft nach der internationalen Reihe E 24
(entspricht etwa ± 5%). Andere Toleranzen oder Zener-Spannungen auf Anfrage.
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
– 50...+175/C
– 50...+175/C
Thermal resistance junction to ambient air
RthA < 170 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
RthT
< 70 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht - Kontaktfläche
1) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2) Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
3) The ZMM 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by the blue ring is to be connected to the negative pole.
Die ZMM 1 ist eine in Durchlaß betriebene Si-Diode. Daher ist bei alle Kenn- und Grenzwerten der Index
“F” anstatt “Z” zu setzten. Die durch den blauen Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
1
15.02.2001
F:\Data\Wp\DatBlatt\Einzelblätter\zmm1..100-nicht-planar-plastik.wpd
ZMM 1 … ZMM 100 ( 500mW )
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Zener voltage 2)
Dynamic resistance
Inhär. diff. Widerstand
rzj [S] at f = 1 kHz
Temp. Coeffiz. Reverse volt. Z-current 1)
of Z-voltage
Zener-Spanng.2)
IZ = 5 mA
Sperrspanng. Z-Strom 1)
…der Z-spanng. IR = 500 nA
TA = 50/C
IZmax [mA]
Vzmin [V] Vzmax
IZ = 5 mA
IZ = 1 mA
"VZ10-4 [/C]
VR [V]
ZMM 1 3)
ZMM 3.9
ZMM 4.3
ZMM 4.7
ZMM 5.1
ZMM 5.6
ZMM 6.2
ZMM 6.8
ZMM 7.5
ZMM 8.2
ZMM 9.1
ZMM 10
ZMM 11
ZMM 12
ZMM 13
ZMM 15
ZMM 16
ZMM 18
ZMM 20
ZMM 22
ZMM 24
ZMM 27
ZMM 30
ZMM 33
ZMM 36
ZMM 39
ZMM 43
ZMM 47
ZMM 51
ZMM 56
ZMM 62
ZMM 68
ZMM 75
ZMM 82
ZMM 91
ZMM 100
0.71
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
0.82
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
6.5 (<8)
80 (<95)
80 (<95)
70 (<78)
30 (<60)
10 (<40)
4.8 (<10)
4.5 (<8)
–
–26…–23
–7…–3
–
–
400
122
109
100
93
83
76
69
63
57
52
47
43
39
35
32
29
26
24
21
20
17
16
14
13
12
11
10
9
–
–
–6…–1
–
< 1400
< 700
< 500
< 300
< 300
< 100
< 50
–5…+2
–
–3…+4
> 0.5 (1:A)
> 1.0 (1:A)
> 1.5 (1:A)
> 2.0 (1:A)
> 3.5
> 6
–2…+6
–1…+7
+2…+7
4.0 (<7)
+3…+7
4.5 (<7)
+4…+7
4.8 (<10)
5.2 (<15)
6 (<20)
< 50
+5…+8
> 7
< 70
+5…+8
> 7.5
> 8.5
> 9
< 70
+5…+9
7 (<20)
< 90
+6…+9
9 (<25)
< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
< 250
< 250
< 250
< 2 50
< 300
< 700
< 750
< 750
< 300
< 700
< 750
< 750
< 750
< 800
< 800
+7…+9
> 10
11 (<30)
13 (<40)
18 (<50)
20 (<50)
25 (<55)
28 (<80)
30 (<80)
35 (<80)
40 (<80)
40 (<90)
50 (<90)
60 (<100)
70 (<100)
70 (<100)
70 (<100)
80 (<110)
90 (<140)
95 (<150)
100 (170)
130 (<200)
200 (<300)
+7…+9
> 11
+8…+9.5
+8…+9.5
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+8…+10
+10…+12
+10…+12
+10…+12
+10…+13
+10…+13
+11…+13
+11…+14
+11…+14
+11…+14
+11…+14
+11…+14
> 12
> 14
> 15
> 17
> 18
> 20
> 22.5
> 25
31
35
34
38
> 27
37
41
> 29
40
46
> 32
44
50
> 35
48
54
> 38
52
60
> 40
8
58
66
> 43
8
64
72
> 48
7
70
79
> 52
6
77
88
> 62
6
85
96
> 63
5
94
106
> 70
5
Advantages of non-planar Zener-Diodes:
Improved clamping capability
Increased max. zener current
Vorteile der flächendiffundierten Zener-Dioden:
Verbesserte Impulsfestigkeit
Höherer max. Arbeitsstrom
Chips produced with EPOS-technology
Molded plastic over passivated junction
No glass fissures
Chips hergestellt in EPOS-Technologie
Passivierte Chips im Plastik-Gehäuse
Keine Glas-Risse
1) Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
1) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
2
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
ZMM 1 … ZMM 100 (500 mW)
Pulse thermal resistance vs. pulse duration 1)
Impulswärmewiderst. in Abh. v.d. Impulsdauer 1)
1) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
3
相关型号：
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