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SK150GD066T
绝对最大额定值
符号条件
IGBT
单位
SEMITOP
®
4
IGBT模块
逆二极管
模块
SK150GD066T
目标数据
特点
特征
符号条件
IGBT
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
典型应用
GD -T
1
14-09-2007 DIL
©由赛米控
SK150GD066T
特征
符号条件
逆二极管
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMITOP
®
4
IGBT模块
SK150GD066T
温度传感器
目标数据
特点
这是静电放电敏感器件( ESDS ) ,国际标准
IEC 60747-1 ,第九章。
本技术信息指定半导体器件,但不承诺
的特点。无担保或保证明示或暗示方面取得的
交付,性能或适用性。
典型应用
GD -T
2
14-09-2007 DIL
©由赛米控
SK150GD066T
图。 1典型值。输出特性,包括ř
CC' + EE '
图。 2额定电流与温度I
C
= F(T
C
)
图。 3典型。导通/断电能量= F (Ⅰ
C
)
图。 4典型。导通/断电能量= F (r
G
)
图。 6典型。栅极电荷特性
3
14-09-2007 DIL
©由赛米控
SK150GD066T
图。 7典型。开关时间与我
C
图。 8典型。开关时间与栅极电阻R
G
图。 10 CAL二极管的正向特性
4
14-09-2007 DIL
©由赛米控
SK150GD066T
5
14-09-2007 DIL
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