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SEMIWELL
半导体
SFP50N06
N沟道MOSFET
特点
低R
DS
(上)( 0.023
)@V
GS
=10V
低栅极电荷(典型值39nC )
低的Crss (典型值110pF )
改进的dv / dt能力
100%的雪崩测试
最高结温范围( 175 ° C)
符号
2.漏
1.门
3.源
概述
这是功率MOSFET采用SEMIWELL先进的生产
平面条形, DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻,具有低
与出色的开关性能的栅极电荷,并且坚固耐用
雪崩特性。这是功率MOSFET非常适合
用于同步DC -DC转换器和电源管理
便携式和电池供电产品。
TO-220
1 2
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑,
T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流( @T
C
= 25
°C)
连续漏电流( @T
C
= 100
°C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
Avalnche电流
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @T
C
= 25 °C)
高于25 ℃的降额因子
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的,
1/8案件从5秒。
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
(注1 )
参数
价值
60
50
35.2
200
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V / ns的
W
W / ℃,
°C
°C
±
20
470
13
50
7
130
0.87
- 55 ~ 175
300
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,案件水槽
热阻,结到环境
价值
分钟。
-
-
-
典型值。
-
0.5
-
马克斯。
1.15
-
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
十二月, 2002年第1版。
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司,保留所有权利。
1/7
SFP50N06
电气特性
符号
开关特性
BV
DSS
Δ
BV
DSS
/
Δ
T
J
I
DSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
漏极 - 源极漏电流
门源泄漏,正向
栅源泄漏,反向
V
GS
= 0V时,我
D
= 250uA
I
D
= 250uA ,参考25 ℃下
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 48V ,T
C
= 150 °C
V
GS
= 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10 V,I
D
= 25A
60
-
-
-
-
-
-
0.06
-
-
-
-
-
-
1
10
100
-100
V
V /°C的
uA
uA
nA
nA
( T
C
= 25 ° C除非另有说明)
参数
测试条件
典型值
最大
单位
I
GSS
基本特征
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
静态漏源导通状态电阻
tance
2.0
-
-
0.018
4.0
0.023
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GS
=0 V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
-
-
-
880
430
110
1140
560
140
pF
动态特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极电荷(米勒电荷)
V
DS
=48V, V
GS
= 10V ,我
D
=50A
参照图12 。
(注4,5)
-
V
DD
= 30V ,我
D
= 25A ,R
G
=50Ω
参见图。 13 。
(注4,5)
60
185
75
60
39
9.5
13
130
380
160
130
45
-
-
nC
ns
-
-
-
-
-
-
源极 - 漏极二极管额定值和特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
笔记
1. Repeativity评价:脉冲宽度有限的结温,
δ
<1%
2, L = 220uH ,我
AS
= 50A ,V
DD
= 25V ,R
G
= 0Ω ,起始物为
J
=
25°C
3. ISD
50A , di / dt的
300A / us的,V
DD
BV
DSS
,起始物为
J
=
25°C
4.脉冲测试:脉冲宽度
300US ,占空比
2%
5.基本上是独立的工作温度。
参数
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
积分反向的P- N结
二极管在MOSFET
I
S
= 50A ,V
GS
=0V
I
S
=50A,V
GS
=0V,dI
F
/dt=100A/us
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
54
81
马克斯。
50
200
1.5
-
-
单元。
A
V
ns
nC
2/7
SFP50N06
图1.在国家特色
V
GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
底部: 4.5 V
上图:
如图2传输特性
10
2
10
2
I
D
,漏电流[ A]
I
D
,漏电流[ A]
175 C
10
1
o
10
1
25 C
-55 C
o
o
注意事项:
1. 250μ s脉冲测试
2. T
C
= 25
注意事项:
1. V
DS
= 30V
2. 250μ s脉冲测试
10
-1
10
0
10
0
10
0
10
1
2
4
6
8
10
V
DS
,漏源电压[V]
V
GS
,栅源电压[V]
图3.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
70
图4.在国家电流与
允许外壳温度
R
DS ( ON)
,
漏极到源极的电阻[ mΩ的]
60
50
40
30
20
10
0
10
2
V
GS
=10V
I
DR
,反向漏电流[ A]
10
1
V
GS
=20V
175 C
o
25 C
注意事项:
1. V
GS
= 0V
2. 250μ s脉冲测试
o
注吨
J
= 25 C
o
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I
D
,漏电流[ A]
V
SD
,源极 - 漏极电压[ V]
图5.电容特性
3000
C
国际空间站
=C
gs
+C
gd
(C
ds
=短路)
C
OSS
=C
ds
+C
gd
C
RSS
=C
gd
图6.栅极电荷特性
12
V
GS
,栅源电压[V]
2500
10
V
DS
= 30V
V
DS
= 48V
电容[ pF的]
2000
注意事项:
1. V
GS
= 0V
2, F = 1MHz的
8
1500
6
1000
C
国际空间站
C
OSS
4
500
2
注:我
D
= 50A
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
35
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
V
DS
,漏源电压[V]
Q
g
,总栅极电荷[ NC ]
3/7
SFP50N06
图7.击穿电压变化
- 结温
1.2
3.0
图8.导通电阻变化
- 结温
BV
DSS
(归一化)
漏源击穿电压
1.1
R
DS ( ON)
(归一化)
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
注意事项:
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250 µ A
0.5
注意事项:
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 25 A
0.8
-100
-50
0
50
100
o
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
o
150
200
T
J
,结温[C]
T
J
,结温[C]
图9.最高安全工作区
10
3
图10.最大漏极电流
与外壳温度
50
在这一领域
由R有限公司
DS ( ON)
I
D
,漏电流[ A]
10
2
100
µ
s
40
I
D'
漏电流[ A]
2
1毫秒
10毫秒
10
1
30
DC
20
10
0
注意事项:
1. T
C
= 25 C
2. T
J
= 150 C
3.单脉冲
o
o
10
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
0
25
50
75
100
125
o
150
175
V
DS
,漏源电压[V]
T
C'
外壳温度[C]
图11.瞬态热响应曲线
10
0
Z
θ
JC
热响应
(t),
D = 0 .5
N 2 O TE S:
1 . Z
θ
J·C
= 1 .1 5
/ W M A X 。
(t)
2 。 ð ü TY F A C到R,D = T
1
/t
2
3 . T
JM
- T
C
= P
D M
* Z
θ
JC
(t)
0 .2
-1
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
S IN克乐P ü LS ê
10
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
1
,S之四重W¯¯ AVE P ü LS E D ü RA TIO N [秒]
4/7
SFP50N06
图。 12.栅极电荷测试电路波形&
50KΩ
12V
200nF
300nF
同一类型
作为DUT
V
DS
V
GS
10V
Q
gs
Q
g
V
GS
Q
gd
DUT
1mA
收费
图13.开关时间测试电路波形&
V
DS
R
L
V
DD
( 0.5额定V
DS
)
V
DS
90%
10V
V
脉冲
发电机
R
G
DUT
V
in
10%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
图14.非钳位感应开关测试电路波形&
V
DS
I
D
R
G
L
V
DD
BV
DSS
1
E
AS
= ---- L
L
I
AS2
--------------------
2
BV
DSS
-- V
DD
BV
DSS
I
AS
I
D
(t)
10V
DUT
V
DD
t
p
V
DS
(t)
时间
5/7
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