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AT9017-10  REG1117-2.85/2K5  REG1117-2.85G4  REG1117A-2K5  AT90-1413TR  REG1117A-2.52K5  REG1117  REG1117A-2.5G4  REG1117-2K5  AT90-1106TR  
SFP50N06 N沟道MOSFET (N-Channel MOSFET)
.型号:   SFP50N06
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描述: N沟道MOSFET
N-Channel MOSFET
文件大小 :   895 K    
页数 : 7 页
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品牌   SEMIWELL [ SEMIWELL SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
SEMIWELL
半导体
SFP50N06
N沟道MOSFET
特点
低R
DS
(上)( 0.023
)@V
GS
=10V
低栅极电荷(典型值39nC )
低的Crss (典型值110pF )
改进的dv / dt能力
100%的雪崩测试
最高结温范围( 175 ° C)
符号
2.漏
1.门
3.源
概述
这是功率MOSFET采用SEMIWELL先进的生产
平面条形, DMOS技术。这一最新技术已
尤其是旨在最大限度地减少通态电阻,具有低
与出色的开关性能的栅极电荷,并且坚固耐用
雪崩特性。这是功率MOSFET非常适合
用于同步DC -DC转换器和电源管理
便携式和电池供电产品。
TO-220
1 2
3
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
E
AS
E
AR
I
AR
dv / dt的
P
D
T
英镑,
T
J
T
L
漏源极电压
连续漏电流( @T
C
= 25
°C)
连续漏电流( @T
C
= 100
°C)
漏电流脉冲
栅极至源极电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
Avalnche电流
峰值二极管恢复的dv / dt
总功率耗散( @T
C
= 25 °C)
高于25 ℃的降额因子
工作结温&储藏温度
最大无铅焊接温度的目的,
1/8案件从5秒。
(注2 )
(注1 )
(注1 )
(注3)
(注1 )
参数
价值
60
50
35.2
200
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
A
V / ns的
W
W / ℃,
°C
°C
±
20
470
13
50
7
130
0.87
- 55 ~ 175
300
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻,结到外壳
热电阻,案件水槽
热阻,结到环境
价值
分钟。
-
-
-
典型值。
-
0.5
-
马克斯。
1.15
-
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
十二月, 2002年第1版。
版权所有@ SEMIWELL半导体有限公司,保留所有权利。
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