| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | HERMETIC SEALED, G111, 2 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| Factory Lead Time： | 24 weeks | 风险等级： | 0.84 |
| 应用： | SUPER FAST SOFT RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V |
| JESD-30 代码： | E-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 35 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 1.3 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ELLIPTICAL | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 150 V | 最大反向电流： | 1 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
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PDF下载| 型号 | 制造商 | 描述 | 替代类型 | 文档 |
| JANTXV1N5806 | MICROSEMI | RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP | 功能相似 |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 1N5806C.TR | MICROSS | Rectifier Diode | 获取价格 |
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| 1N5806CSM4 | SEME-LAB | HIGH EFFICIENCY POWER RECTIFIER IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE | 获取价格 |
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| 1N5806D2A | SEME-LAB | ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODE | 获取价格 |
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| 1N5806D2B | SEME-LAB | ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODE | 获取价格 |
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| 1N5806R | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, | 获取价格 |
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| 1N5806S | EIC | Glass Passivated Rectifiers | 获取价格 |
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| 1N5806U | STMICROELECTRONICS | Aerospace 2.5 A fast recovery rectifier | 获取价格 |
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| 1N5806U | SENSITRON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, | 获取价格 |
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| 1N5806U01A | STMICROELECTRONICS | 航空航天2.5 A快速恢复整流器 | 获取价格 |
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| 1N5806U02A | STMICROELECTRONICS | 航空航天2.5 A快速恢复整流器 | 获取价格 |
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