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SENSITRON
半导体
技术参数
DATA SHEET 1042 REV 。初步
SHD123636P
SHD123636N
SHD123636D
功率肖特基整流器
低反向漏
应用范围:
产品特点:
œ
œ
œ
œ
œ
œ
œ
œ
œ
开关电源
œ
转换器
œ
续流二极管
œ
极性保护二极管
超低反向漏电流
软反向恢复低温和高温
极低的正向电压降
低功耗,高效率
高浪涌能力
保护环,增强耐用性和长期可靠性
保证反向雪崩特性
出执行200伏超快整流器
符号
V
RWM
I
F( AV )
I
F( AV )
I
FSM
E
AS
I
AR
R
thJC
T
J
T
英镑
符号
V
F1
条件
-
50%的占空比,矩形
波形共阴极
( N) /共阳极( P)
50%的占空比,矩形
波形倍增(D )
8.3毫秒,半正弦波
(每站)
T
J
= 25
•C,
I
AS
= 1.3 A,
L = 40mH (每站)
I
AS
线性地衰减到0 1
ms
‹
限制T
J
MAX V
A
=1.5V
R
每包
-
-
马克斯。
200
150
120
1650
27
1.3
0.2
-65到+175
-65到+175
单位
V
A
A
A
mJ
A
° C / W
•C
•C
最大额定值:
特征
峰值反向电压
马克斯。平均正向
当前
马克斯。平均正向
当前
马克斯。峰值一个周期非
重复浪涌电流
非重复性雪崩
能源
重复性雪崩
当前
热阻
最大。结温
马克斯。储存温度
条件
马克斯。
单位
1.07
V
@ 120A ,脉冲,T
J
= 25
•C
(每站)在导线测量
V
F2
0.91
V
@ 120A ,脉冲,T
J
= 125
•C
(每站)在导线测量
马克斯。反向电流
I
R1
@V
R
= 200V ,脉冲,
0.6
mA
T
J
= 25
•C
(每站)
I
R2
@V
R
= 200V ,脉冲,
6.0
mA
T
J
= 125
•C
(每站)
马克斯。结电容
C
T
1800
pF
@V
R
= 5 V ,T
C
= 25
•C
f
SIG
= 1 MHz时,
V
SIG
= 50mV的( P-P ) (每站)
由于200V的肖特基器件的性质,在叔一些降解
rr
性能在高温下应
可以预期,与常规低电压肖特基二极管。
电气特性:
特征
马克斯。正向电压降
œ
221西工业苑
3
鹿园,NY 11729-4681
3
( 631 ) 586-7600传真( 631 ) 242-9798
œ
œ
万维网网站 - http://www.sensitron.com
œ
电子邮件地址 - sales@sensitron.com
œ
SHD123636P
SHD123636N
SHD123636D
技术参数
DATA SHEET 1042 REV 。初步
机械尺寸:单位:英寸/毫米
1.27 (32.26
1.23 31.24)
0.64 (16.26
0.60 15.24)
0.720 (18.29
0.680 17.27)
1
0.167 (4.24
迪亚
0.147 3.73)
0.220 (5.59
0.180 4.57)
3个地方
0.030 (0.762
0.010 0.254)
0.260 ( 6.61 )最大
0.180 (4.57
0.140 3.55)
2
3
0.50 ( 12.70 )最小
0.370 (9.40
0.330 8.38)
0.40 ( 10.16 )典型值
壳牌环氧树脂
散热器
典型的正向特性
典型的反向特性
瞬时反向电流 - I
R
(MA )
10
2
10
1
200 °
C
175 °
C
150 °
C
125 °
C
100 °
C
10
0
200 °
C
175 °
C
10
-1
瞬时正向电流 - I
F
(A)
10
1
10
-2
75 °
C
50 °
C
25 °
C
0
40
80
120
160
200
反向电压 - V
R
(V)
240
10
-3
10
0
125 °
C
10
-4
典型结电容
结电容 - C
T
(PF )
1.0
25 °
C
10
-1
2000
1500
1000
500
0
0
40
80
120
160
反向电压 - V
R
(V)
200
240
10
-2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
正向电压下降 - V
F
(V)
如图VF曲线仅用于模具。
œ
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3
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SENSITRON
半导体
技术参数
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的规定。
221西工业苑
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