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LH5116/H
特点
2,048
×
8位组织
访问时间: 100 NS ( MAX 。 )
功耗:
操作: 220毫瓦( MAX 。 )
待机: 5.5
µW
( MAX 。 )
采用+5 V单电源
全静态操作
TTL兼容的I / O
三态输出
可使用温度范围广
LH5116H : -40〜 + 85°C
包:
24针, 600密耳DIP
24引脚, 300mil的SK- DIP
24针, 450万SOP
CMOS 16K ( 2K
×
8 )静态RAM
描述
该LH5116 / H的静态RAM组织为2048
×
8
位。它是用硅栅CMOS工艺制造
技术。它具有读取模式下的高速接入
使用输出使能(吨
OE
).
引脚连接
24引脚DIP
24 -PIN SK -DIP
24引脚SOP
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
GND
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A
8
A
9
WE
OE
A
10
CE
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
5116-1
对于DIP图1.引脚连接, SK- DIP ,
和SOP封装
1
LH5116/H
CMOS 16K ( 2K
×
8 )静态RAM
行解码器
行地址
缓冲器
A
0
8
A
5
3
A
6
2
A
7
1
A
8
23
A
9
22
A
10
19
I / O
1
9
I / O
2
10
I / O
3
11
I / O
4
13
I / O
5
14
I / O
6
15
I / O
7
16
I / O
8
17
记忆细胞
ARRAY
(128 x128)
24 V
CC
12 GND
CE
DATA CONTROL
COLUMN
I / O电路
列解码器
列地址
缓冲器
CE
CE 18
WE 21
OE 20
4
A
4
5
A
3
6
A
2
7
A
1
5116-2
图2. LH5116 / H框图
引脚说明
信号
引脚名称
信号
引脚名称
A
0
- A
10
CE
OE
WE
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
I / O
1
- I / O
8
V
CC
GND
数据输入/输出
电源
真值表
CE
OE
WE
模式
I / O
1
- I / O
8
电源电流
L
L
H
L
注意:
1. X = H或L
X
L
X
H
L
H
X
X
DESELECT
输出禁用
D
IN
D
OUT
高-Z
高-Z
工作( ICC )
工作(我
CC
)
待机(我
SB
)
工作(我
CC
)
1
1
1
2
CMOS 16K ( 2K
×
8 )静态RAM
LH5116/H
绝对最大额定值
参数
符号
等级
单位
电源电压
输入电压
工作温度
储存温度
V
CC
V
IN
TOPR
TSTG
-0.3到+7.0
-0.3到V
CC
+ 0.3
0至+70
-40至+85
-55到+150
V
V
°C
°C
1
1
2
3
注意事项:
1.相对于GND的任何引脚上的最大适用电压。
2.适用于LH5116 / D / NA的
3.适用于LH5116H / HD / HN
推荐工作条件
1
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电源电压
输入电压
V
CC
V
IH
V
IL
4.5
2.2
-0.3
5.0
5.5
V
CC
+ 0.3
0.8
V
V
V
注意:
1. T
A
= 0至70℃ ( LH5116 / D / NA )中,T
A
= -40〜+ 85°C ( LH5116H / HD / HN )
DC特性
1
(V
CC
= 5 V
±10%)
参数
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出“低”电压
输出“高”电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
待机电流
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
SB
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
V
IN
= 0 V到V
CC
CE = V
IH
, V
I / O
= 0 V到V
CC
输出开路( OE = V
CC
)
输出开路( OE = V
IH
)
CE
V
CC
- 0.2 V
所有其它输入引脚= 0 V到V
CC
0.4
2.4
-1.0
-1.0
25
30
1.0
1.0
30
40
1.0
0.2
V
V
µA
µA
mA
mA
µA
2
3
4
注意事项:
1. T
A
= 0至70℃ ( LH5116 / D / NA )中,T
A
= -40〜+ 85°C ( LH5116H / HD / HN )
2. CE = 0 V ;所有其它输入引脚= 0 V到V
CC
3. CE = V
IL
;所有其它输入引脚= V
IL
到V
IH
4. T
A
= 25°C
AC特性
1
( 1 )读周期(V
CC
= 5 V
±10%)
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能低-Z低到输出
输出启用访问时间
输出使能低-Z低到输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
输出保持时间
t
RC
t
AA
t
ACE
t
CLZ
t
OE
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
100
100
100
10
40
10
0
0
10
40
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
2
2
2
注意事项:
1. T
A
= 0至70℃ ( LH5116 / NA / D)。牛逼
A
= -40至85° C( LH5116H / HD / HN ) 。
2.有源输出到一个指定的高阻抗和高阻抗,输出有源测试
±200
毫伏转型
从稳态水平进入试验载荷。
3
LH5116/H
CMOS 16K ( 2K
×
8 )静态RAM
( 2 )写周期
1
(V
CC
= 5 V
±10%)
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效时间
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
输出写入结束活动
WE低产出高-Z
数据有效到写结束
数据保持时间
输出使能到输出高-Z
输出写入结束活动
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
OW
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OHZ
t
OW
100
80
80
0
60
10
10
0
30
10
0
10
40
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
2
2
2
注意事项:
1. T
A
= 0至+ 70 ° C( LH5116 / D / NA ) ,T
A
= -40〜+ 85°C ( LH5116H / HD / HN )
2.有源输出到一个指定的高阻抗和高阻抗,输出有源测试
±200
毫伏转型
从稳态水平进入试验载荷。
AC测试条件
参数
模式
输入电压幅度
输入的上升/下降时间
时序参考电平
输出负载条件
注意:
1.包括范围和夹具电容。
0.8 V至2.2 V
10纳秒
1.5 V
1TTL + C
L
( 100 pF的)
1
数据保持特性
参数
符号
1
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
数据保持电压
数据保持电流
芯片禁用到数据
保留
恢复时间
V
CCDR
I
CCDR
t
CDR
t
R
CE
V
CCRC
- 0.2 V
CE
V
CCDR
- 0.2 V,
V
CCDR
= 2.0 V
2.0
5.5
1.0
0.2
V
µA
ns
ns
3
2
0
t
RC
注意事项:
1. T
A
= 0至+ 70 ° C( LH5116 / D / NA ) ,T
A
= -40〜+ 85°C ( LH5116H / HD / HN )
2. T
A
= 25°C
3. t
RC
=读周期时间
电容
1
( F = 1 MHz时,T
A
= 25°C)
参数
符号
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输入电容
输入/输出电容
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
7
10
pF
pF
注意:
1,这个参数进行采样,而不是生产测试。
4
CMOS 16K ( 2K
×
8 )静态RAM
LH5116/H
t
CDR
V
CC
4.5 V
2.2 V
V
CCDR
CE
0V
数据保持方式
t
R
CE
V
CCDR
-0.2 V
5116-6
图3.低电压数据保留
t
RC
A
0
- A
10
t
AA
t
ACE
CE
t
OE
OE
t
OLZ
t
CLZ
D
OUT
注意:
WE = "HIGH"
数据有效
t
OH
t
CHZ
t
OHZ
5116-3
图4.读周期
5
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