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P
RODUCT
S
PECIFICATIONS
®
集成电路集团
LH28F160S3NS-L10
16M ( 2MB × 8 / 1MB × 16 )
(型号: LHF16KA1 )
FL灰内存
规范编号: EL128039
发行日期: 2000年8月22日
SHARP
LHFlGKAl
l
小心处理文档中所包含的材料受国际版权保护
法。禁止任何复制,充满该材料的部分或未经
该公司的书面许可。
l
当使用本文中所涵盖的产品,请注意这里写的条件
并在下面的段落中列出的事项。在任何情况下,本公司
有责任从失败造成的任何损坏要严格遵守这些条件,
预防措施。
( 1 )所涉及的产品中,设计和制造用于以下
的应用领域。当使用本文中所涵盖的所列设备产品
在第( 2 ) ,即使是以下应用领域,一定要遵守
在段落中给出的注意事项( 2 ) 。不要使用产品所列设备
在第( 3 ) 。
l
办公电子设备
l
仪器仪表和测量设备
*机床
l
视听设备
*家电
·通讯设备比干线等
(2)利用覆盖这里为以下设备的产品的那些打算
它要求高可靠性,应首先联系销售代表
公司再接受集成到设计负责故障安全
操作时,冗余和其它适当的措施,以确保可靠性和
的设备和整个系统的安全性。
l
用于飞机,火车,汽车控制和安全装置,
交通运输设备
aMainframe电脑
l
了交通控制系统
*燃气泄漏探测器和自动切断装置
ORescue和安全设备
母亲的安全设备和安全设备等。
及其他
( 3 )不要使用本文中所涵盖的产品用于以下设备这
马克? NDS
极高的性能的功能性,可靠性,或准确性方面。
*航空航天设备
*通信设备干线
*控制设备,核电行业
*与生命保障等医疗设备
.
(4)请直接与有关上述的解释的所有查询和注释
三段销售代表的公司。
升请直接就盖在此销售代表产品的所有查询
该公司的。
Rev.1.9
SHARP
LHFlGKAl
1
目录
页面
我言
......................................................
3
3
6
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
11
11
11
11
12
12
13
5设计考虑
................................
页面
.30
.30
1 .L产品概述.. ........................................... ...
!操作原理.............................. ..
2.1数据保护............................................... ....
我总线操作............................................. .. .....
3.1阅读................................................ ...................
3.2输出禁止............................................... ......
3.3备用.. .............................................. ...............
3.4深度掉电............................................. 。
3.5读取识别码操作.. .......................
3.6查询操作............................................. .. ...
3.7写.. .............................................. ....................
命令定义.. .....................................
4.1读阵列命令.. .....................................
4.2读取识别码命令.. ....................
4.3读状态寄存器命令.. .....................
4.4清除状态寄存器命令.. .....................
4.5查询命令............................................. ..
4.51模块状态寄存器.. ................................
4.5.2 CFI查询标识字符串.. .....................
4.5.3系统界面的信息.. .....................
4.5.4设备几何定义.........................
5.1三线输出控制................................
5.2 STS和块擦除,整片擦除, (多)
字/字节写和块锁定位配置
.30
投票.. ............................................... ..............
5.3电源去耦.................................
.30
5.4 V ,,跟踪印刷电路板.. ............... .3r
5.5维生素C ,, V ,,, RP #转换.. ...............................
5.6电/断电保护.. ........................
5.7功耗..............................................
6电气
规格........................ ..
6.1绝对最大额定值...............................
6.2工作条件........................................
3’
.3’
3’
.3:
3:
.3:
3:
6.2.1电容.............................................. ...
6.2.2 AC输入/输出测试条件.. ............... 0.3 :
6.2.3直流特性.. .....................................
6.2.4
6.2.5
6.2.6
6.2.7
交流特性 - 只读操作
AC特征 - 写操作.. .......
另类CE#控制写入.. .............
复位操作.........................................
.3L
.3(
.3E
.41
4:
6.2.8块擦除,整片擦除, (多)
字/字节写和块锁位
CON组fi guration
性能........................ ..
.44
.4E
.4E
7
13
14
4.5.5 SCS OEM特定的扩展查询表.. 14
4.6块擦除命令.................................... ..
15
4.7整片擦除命令................................
15
16
4.8字/字节写命令.. ........................
4.9多字/字节写命令.. .................... 16
17
4.11 (多)字/字节写入暂停命令... 17
4.12设置块锁定位命令.. ........................ 18
4.13清除块锁定位命令.. .....................
4.14 STS配置命令.........................
18
19
4.10块擦除挂起命令.. .....................
7附加信息...............................
7.1订购信息.........................................
8封装和包装SPEClFlCATlbN ........ 4
.
修订版1.9
SHARP
LHFlGKAl
2
LH28F160S3NSLIO
16M位( 2MBx8 / 1 MBxl6 )
智能3快闪记忆体
a
智能3技术
- 2.7V或3.3V的Vcc
- 2.7V , 3.3V或5V Vpp的
n
增强的数据保护功能
- 绝对保护与Vpp的= GND
- 灵活的块锁定
- 擦除/电源中写入锁定
TRANSITIONS
扩展循环能力
- 100000块擦除周期
- 3.2亿块擦除周期/片
低功耗管理
- 深度掉电模式
- 自动节能模式
ICC降低静态模式
自动的写入和擦除
- 命令的用户界面
- 状态寄存器
行业标准包装
- 56引脚SSOP
ETOXTM 'V非易失
技术
FL灰
ñ通用闪存接口( CFI )
- 通用&可升级接口
n
n
可扩展指令集( SCS )
高速写入性能
- 32字节×2面页缓冲区
- 2.7 @Byte写入传输速率
高速读取性能
- 1OOns ( 3.3Vk0.3V )为120ns ( 2.7V - 3.6V )
工作温度
- 0 ° C至+ 70 “C
n
n
n
n
n
●增强型自动暂停选项
- 写暂停阅读
- 块擦除挂起写
- 块擦除挂起阅读
I
高密度对称阻止
架构
- 三十二个64K字节可擦除块
SRAM兼容
用户可配置
写接口
x8或x16操作
n
n
n
n
CMOS工艺
( P型硅衬底)
没有设计或额定作为辐射
硬化
.
I
I
SHARP的LH28F160S3NS -L10
闪存智能3技术是一种高密度,低成本,非易失性,
, EAD了广泛的应用/写存储解决方案。其对称封闭的架构,灵活的电压
IND延长循环提供了高度灵活的组件适合居住闪存阵列, SlMMs和内存
:急性呼吸窘迫综合征。其增强的暂停功能,提供了代码+数据存储应用的理想解决方案。为
iecure代码存储应用,如网络,其中代码被直接执行的总分闪光或
下载到DRAM中, LH28F160S3NS -L10
提供了三个级别的保护:采用V绝对保护,,在
苏州高新区,选择硬件模块的锁定,或者灵活的软件模块锁定。这些替代方案为设计人员提供
其代码的安全性需求的最终控制权。
- 他LH28F160S3NS - LLO
是顺应了闪存可扩展指令集( SCS)和通用闪存接口
CFI)规范,它使通用和升级接口,支持最高系统/设备的数据传输
阿泰和尽量减少设备和系统级的实施成本。
- 他LH28F160S3NSLlO
制造夏普的下午12时35 ETOX TM * V的工艺技术。
idustry标准封装: 56引脚SSOP理想的板受限的应用。
ETOX是Intel Corporation的注册商标。
Rev.1.9
它进来
SHARI =
LHFlGKAl
1引言
数据表
包含
LH28F160S3NS-LlO
规格。部1提供的闪速存储器
概述。第2, 3 ,4和5描述的
记忆的组织和功能。第6节
涵盖电气规格。
3
写暂停模式使系统能够读取的数据的
或从任何其它闪存阵列执行代码
位置。
个别块锁定使用位的组合
和WP # , 32块锁定位,锁定和
解锁块。块锁定位闸块擦除,全
芯片擦除和(多)字/字节写操作。
块锁定位配置操作(设置座
锁定位和清除块锁定位指令)集
和清除块锁定位。
状态寄存器指示时, WSM的块
擦除,整片擦除, (多)字/字节写入或块
锁位配置操作完成。
在STS输出给WSM的附加指标
通过同时提供硬件的状态信号活动
(与软件
轮询)和状态屏蔽
(中断为背景的块擦除掩蔽,为
例子)。使用STS最小化这两个状态轮询
CPU开销和系统的功耗。 STS
引脚可以被配置为使用不同的状态
配置命令。在STS管脚默认
RY / BY #操作。当低, STS表示该
WSM的执行块擦除,整片擦除,
(多)字/字节写入或块锁定位配置。
STS -高Z表示WSM是准备好了
新的命令,块擦除暂停和(多)
字/字节写操作无效, (多)字/字节写
悬浮,或者该设备是在深度掉电
模式。其他3个备用配置均
脉冲模式用作一个系统中断。
访问时间是1OOns ( tAvav )在
商用温度范围(0 %到+ 70 “ C)和
VC, 3.OV - 3.6V的电源电压范围。在较低的V ,,
电压时,访问时间是120ns的(2.7V - 3.6V) 。
自动
省电( APS )功能
实质上降低有功电流时,该设备
在静态模式(地址不切换) 。在APS
模式,典型的LCCR电流为3 mA的33V V ,, 。
当CE #或CE #和RP #引脚在Vcc ,
厕所CMOS待机模式下启用。当
RP #引脚。在GND ,深度掉电模式
启用最大限度地减少电力消耗
提供复位期间写保护。复位时间
( tpHQv )从RP #需要切换到高
输出是有效的。同样地,该装置具有一个唤醒
时间( tPHEL )从RP # - 高,直到写入崔正
认可。随着RP #在GND时, WSM被复位,
状态寄存器清零。
该器件采用56引脚SSOP封装(收缩
小外形封装) 。引脚分布示于图2 。
1.1产品概述
该LH28F160S3NS - LLO
是一个高性能16M-
位智能
3闪光灯
内存
有组织的
as
2MBx8/1MBxlG.
数据的2MB被布置在
32 64K字节的块,分别是
可擦除,可锁定和解锁在系统。该
存储器映射如图3所示。
智能3技术提供的Vcc的选择
V i,组合,如表1所示,满足
系统的性能和功耗的期望。 2.N
维生素C ,消耗大约五分之一的功率
5V VCC。副总裁,在2.7V , 3.3V和SJ消除
需要使用单独的12V转换器,而V i, = 5V
最大限度地消除和写入性能。此外
以灵活的擦除和编程电压,专用
V,,
销给了完整的数据保护时,
vPPsvPPLK 。
表1. I / ..和VPP电压组合
奥菲%D通过智能3技术
VCC电压
VPP电压
2.7V
2.7V, 3.3V, 5V
3.3v
3.3v, 5v
国内
发现
电路
VCC
副总裁,
自动配置该设备优化
* CAD和写入操作。
4 COMMAND
用户界面(CUI)作为
系统处理器和内部之间覆盖整个院落
该装置的操作。一个有效的命令序列
写到崔启动设备的自动化。一
nternal写状态机( WSM )自动
mecutes算法和定时所需的
ILOCK擦除,整片擦除, (多)字/字节写
和块锁位的配置操作。
4块擦除操作会擦除设备中的一个
i4K字节的块通常在0.41s ( 3.3V的Vcc , 5V
IPP)独立于其他块。每个块可以是
ndependently
擦除10万次( 320万
每个设备ILOCK擦除) 。块擦除挂起模式
允许系统软件暂停块擦除到
从任何其他块元首或写入数据。
4字/字节写在字节为单位进行
ypically 12.95u.s内( 3.3V的Vcc , 5V V ,,) 。多
vord /字节写操作的高速写入性能
! .7us /字节( 3.3V V ,,, 5V副总裁) 。 (多)字/字节
修订版1.9
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    快闪记忆体16M ( 2MB 】 8 / 1MB 】 16 )

    总58页 (3536K) SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS
    SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS
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