P

RODUCT

S

PECIFICATIONS

®

集成电路集团

LH28F160S5NS-L70

16M （ 2MB × 8 / 1MB × 16 ）

（型号： LHF16KA4 ）

FL灰内存

规范编号： EL128040

发行日期： 2000年8月22日

SHARP

. -

LHF16KA4

升小心处理这个文件中所包含的材料受国际版权保护

法。禁止任何复制，充满该材料的部分或未经

该公司的书面许可。

l当使用本文中所涵盖的产品，请注意这里写的条件

并在下面的段落中列出的事项。在任何情况下，本公司

有责任从失败造成的任何损坏要严格遵守这些条件，

预防措施。

（ 1 ）所涉及的产品中，设计和制造用于以下

的应用领域。当使用本文中所涵盖的所列设备产品

在第（ 2 ） ，即使是以下应用领域，一定要遵守

在段落中给出的注意事项（ 2 ） 。不要使用产品所列设备

在第（ 3 ） 。

’

aOffice电子产品

升仪器仪表和测量设备

升机工具

*视听设备

*家电

·通讯设备比干线等

（2）利用覆盖这里为以下设备的产品的那些打算

它要求高可靠性，应首先联系销售代表

公司再接受集成到设计负责故障安全

操作时，冗余和其它适当的措施，以确保可靠性和

的设备和整个系统的安全性。

*用于飞机，火车，汽车等控制和安全装置

交通运输设备

*计算机主机

*交通控制系统

AGAS泄漏探测器和自动切断装置

*救援及安全设备

l其他的安全设备和安全设备等。

（ 3 ）不要使用本文中所涵盖的产品用于以下设备它要求

极高的性能的功能性，可靠性，或准确性方面。

*航空航天设备

升通讯设备干线

*控制设备，核电行业

aMedical设备相关的生活配套等

（4）请直接与有关上述的解释的所有查询和注释

三段销售代表的公司。

升请直接就盖在此销售代表产品的所有查询

该公司的。

Rev.1.9

泥质？ P

. -

-- -

LHFlGKA4

1

目录

页面

1引言................................................ ......

1 .L产品概述............................................. ...

2个运行原理................................

2.1数据保护............................................... ....

3总线操作............................................. .. .....

3.1阅读................................................ ...................

3.2输出禁止............................................... .....

3.3

3.4

3.5

3.6

待机................................................. ..............

深度掉电..............................................

读取识别码操作.. .......................

查询操作................................................ ..

3

3

6

7

7

7

7

7

7

8

8

8

8

11

11

11

11

12

12

页面

5设计考虑................................

.30

5.1三线输出控制................................

.30

5.2 STS和块擦除，整片擦除， （多）

字/字节写和块锁定位配置

投票.. ............................................... ..............

.30

5.3电源去耦.. ...............................

.30

5.4 V ,,跟踪印刷电路板.. ............... 0.30

5.5 V ,,, V ,,, RP ＃转换.............................. ..

.31

5.6电/断电保护.. ........................ 0.31

5.7功耗.............................................

.31

6电气特性........................ ..

6.1绝对最大额定值..............................

6.2工作条件........................................

6.2.1电容.............................................. ..

.32

.32

.32

3.7写.. .............................................. ....................

4命令定义.......................................

4.1读阵列命令.. .....................................

4.2读取识别码命令.. ....................

4.3读状态寄存器命令.. .....................

4.4清除状态寄存器命令.. .....................

4.5查询命令...............................................

4.5.1模块状态寄存器..................................

.32

6.2.2 AC输入/输出测试条件.. ............... 0.33

6.2.3直流特性.. .....................................

.34

6.2.4交流特性 - 只读操作0.36

AC特征 - 写操作......... 0.39

另类CE＃ -Controlled写.. ............. 0.41

复位操作........................................

.43

块擦除，整片擦除， （多）

字/字节写和块锁位

配置性能........................ ..

.44

45

45

6.2.5

6.2.6

6.2.7

6.2.8

4.5.2 CFI查询标识字符串.. ..................... 13

4.5.3系统界面的信息.. ..................... 13

4.5.4设备几何定义......................... 14

4.5.5 SCS OEM特定的扩展查询表。 。

14

4.6块擦除命令.................................... ..

15

4.7整片擦除命令................................

15

4.8字/字节写命令.. ........................

4.9多字/字节写命令.. ....................

4.10块擦除挂起命令.. .....................

16

16

17

7附加信息................................

7.1订购信息..........................................

-

4.11 （多）字/字节写入暂停命令... 17

4.12设置块锁定位命令.. ........................ 18

4.13清除块锁定位命令.. ..................... 18

4.14 STS配置命令......................... 19

修订版1.9

SHAFZP

-

LHF16KA4

2

LH28F160S5NSL70

1GM - BIT （ 2MBx8 / 1 MBxl6 ）

智能5快闪记忆体

I

SMART技术5

- 5V VCC

- SV VPP

●增强型数据保护功能

- 绝对保护与Vpp的= GND

- 灵活的块锁定

- 擦除/电源中写入锁定

TRANSITIONS

n扩展循环能力

- 100000块擦除周期

- 3.2亿块擦除周期/片

n低电源管理

- 深度掉电模式

- 自动节能模式

ICC降低静态模式

ñ自动写入和擦除

- 命令的用户界面

- 状态寄存器

n业内标准包装

- 56引脚SSOP

ñ ETOXTM 'V非易失

技术

FL灰

ñ通用闪存接口（ CFI ）

- 通用&可升级接口

ñ可扩展指令集（ SCS ）

N高的速度写入性能

- 32'Bytes ×2面页缓冲区

- 2pslByte写入传输速率

I

I

I

高速读取性能

- 为70ns （ SV * O.25 / ！ ） ， 80ns的（ 5V * OSV ）

工作温度

- 0 ° C至+ 70 “C

增强的自动暂停选项

- 写暂停阅读

- 块擦除挂起写

- 块擦除挂起阅读

高密度对称阻止

架构

- 三十二个64K字节可擦除块

写接口

x8或x16操作

I

ñ CMOS工艺

（ P型硅衬底）

N不设计或评定为辐射

硬化

ñ SRAM兼容

否用户可配置

SHARP的LH28F160S5NS -L70

闪速存储器与智能5技术是一种高密度，低成本，非易失性，

读/写用于广泛的应用中的存储解决方案。其对称封闭的架构，灵活的电压

苏州高新区循环扩展提供了高度灵活的组件适合居住闪存阵列， SlMMs和内存

：急性呼吸窘迫综合征。其增强的暂停功能，提供了代码+数据存储应用的理想解决方案。为

安全代码存储应用，如网络，其中代码被直接执行的总分闪光或

下载到DRAM中， LH28F160S5NSL70

提供了三个级别的保护：采用V绝对保护,,在

苏州高新区，选择硬件模块的锁定，或者灵活的软件模块锁定。这些替代方案为设计人员提供

Jltimate控制其代码的安全需求。

该LH28F160S5NS - L70是顺应了闪光灯可扩展指令集（ SCS）和通用闪存接口

CFI）规范，它使通用和升级接口，支持最高系统/设备的数据传输

“阿泰和尽量减少设备和系统级的实施成本。

该LH28F160S5NS -L70

制造夏普的0.35微米ETOX TM * V的工艺技术。

ndustry标准封装： 56引脚SSOP封装，非常适合电路板受限的应用。

“ ETOX是Intel Corporation的注册商标。

修订版1.9

它进来

SHARP

.-

1引言

这

数据表

包含

LH28F160SSNSL70

规格。部1提供的闪速存储器

概述。第2， 3 ，4和5描述的

记忆的组织和功能。第6节

涵盖电气规格。

LHF16KA4

3

从任何其他闪存阵列执行代码

位置。

个别块锁定使用位的组合

和WP ＃ ， 32块锁定位，锁定和

解锁块。块锁定位闸块擦除，全

芯片擦除和（多）字/字节写操作。

块锁定位配置操作（设置座

锁定位和清除块锁定位指令）集

和清除块锁定位。

状态寄存器指示时， WSM的块

擦除，整片擦除， （多）字/字节写入或块

锁位配置操作完成。

在STS输出给WSM的附加指标

通过同时提供硬件的状态信号活动

（相对于软件轮询）和屏蔽状态

（中断为背景的块擦除掩蔽，为

例子）。使用STS最小化这两个状态轮询

CPU开销和系统的功耗。 STS

引脚可以被配置为使用不同的状态

配置命令。在STS管脚默认

RY / BY ＃操作。当低， STS表示该

WSM的执行块擦除，整片擦除，

（多）字/字节写入或块锁定位配置。

STS -高Z表示WSM是准备好了

新的命令，块擦除暂停和（多）

字/字节写操作无效， （多）字/字节写

悬浮，或者该设备是在深度掉电

模式。其他3个备用配置均

脉冲模式用作一个系统中断。

访问时间是70ns的（ tAvQv ）在商用

温度范围（ 0℃〜 + 70 “ C）和V i，供给

电压范围4.75V - 5.25V的。在较低的V， -c电压，

访问时间为80ns （ 4.5V - 5.5V ） 。

自动

省电（ APS ）功能

实质上降低有功电流时，该设备

在静态模式（地址不切换） 。在APS

模式，典型电流图标为5V V ,, 1毫安。

当任CEC ＃或CE ＃和RP ＃引脚在Vcc ，

国际刑事法院的CMOS待机模式下启用。当

RP ＃脚为GND ，深度掉电模式

启用最大限度地减少功耗和

提供复位期间写保护。复位时间

（ tpHQv ）从RP ＃需要切换到高

输出是有效的。同样地，该装置具有一个唤醒

时间（ tPHEL ）从RP ＃ - 高，直到写入崔正

认可。随着RP ＃在GND时， WSM被复位，

状态寄存器清零。

该器件采用56引脚SSOP封装（收缩

小外形封装） 。引脚分布示于图2 。

1.L产品概述

该LH28F160S5NSL70

是一个高性能16M-

位智能

5闪存

有组织的

as

2MBx8 / 1 MBxl6 。数据的2MB被布置在

32 64K字节的块，分别是

可擦除，可锁定和解锁在系统。该

存储器映射如图3所示。

5智能“技术提供了维生素C的选择，

V i，组合，如表1所示，满足

系统的性能和功耗的期望。 5V武，

提供了最高的读取性能。 V ,,在5V

省去了一个单独的12V转换器，

而V ,, = 5V

最大化

抹去

和

写

性能。

除了灵活的擦除和

编程电压，专用V i，销给出

完整的数据保护时， V + V ,, L。

表1. V ,,和VP ，电压组合

提供的智能5技术

VCC电压

VPP电压

ê ; V

！四

发现

国内

VCO。和

电路

VW

自动配置该设备优化

读取和写入操作。

.I’

A命令的用户界面（ CUI）作为

系统处理器和内部之间的接口

该装置的操作。一个有效的命令序列

写到崔启动设备的自动化。一

内部写状态机（ WSM ）自动

执行必要的算法和定时

块擦除，整片擦除， （多）字/字节写

和块锁位的配置操作。

块擦除操作会擦除设备中的一个

WK-字节的块通常在0.34s （ VCO 5V ， 5V

V ,,）独立于其他块。每个块可以是

独立擦除10万次（ 320万

每个设备块擦除） 。块擦除挂起模式

允许系统软件暂停块擦除到

读或从任何其它块中写入数据。

一个字/字节写在字节为单位进行

通常在9.24us （开路电压5V ， 5V V ,,） 。多

字/字节写操作的高速写入性能

2uslbyte （开路电压5V ， 5V V ,,） 。 （多）字/字节写

挂起模式使系统能够读取的数据或

修订版1.9