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P
RODUCT
S
PECIFICATIONS
®
集成电路集团
LH28F160S5NS-L70
16M ( 2MB × 8 / 1MB × 16 )
(型号: LHF16KA4 )
FL灰内存
规范编号: EL128040
发行日期: 2000年8月22日
SHARP
. -
LHF16KA4
升小心处理这个文件中所包含的材料受国际版权保护
法。禁止任何复制,充满该材料的部分或未经
该公司的书面许可。
l当使用本文中所涵盖的产品,请注意这里写的条件
并在下面的段落中列出的事项。在任何情况下,本公司
有责任从失败造成的任何损坏要严格遵守这些条件,
预防措施。
( 1 )所涉及的产品中,设计和制造用于以下
的应用领域。当使用本文中所涵盖的所列设备产品
在第( 2 ) ,即使是以下应用领域,一定要遵守
在段落中给出的注意事项( 2 ) 。不要使用产品所列设备
在第( 3 ) 。
aOffice电子产品
升仪器仪表和测量设备
升机工具
*视听设备
*家电
·通讯设备比干线等
(2)利用覆盖这里为以下设备的产品的那些打算
它要求高可靠性,应首先联系销售代表
公司再接受集成到设计负责故障安全
操作时,冗余和其它适当的措施,以确保可靠性和
的设备和整个系统的安全性。
*用于飞机,火车,汽车等控制和安全装置
交通运输设备
*计算机主机
*交通控制系统
AGAS泄漏探测器和自动切断装置
*救援及安全设备
l其他的安全设备和安全设备等。
( 3 )不要使用本文中所涵盖的产品用于以下设备它要求
极高的性能的功能性,可靠性,或准确性方面。
*航空航天设备
升通讯设备干线
*控制设备,核电行业
aMedical设备相关的生活配套等
(4)请直接与有关上述的解释的所有查询和注释
三段销售代表的公司。
升请直接就盖在此销售代表产品的所有查询
该公司的。
Rev.1.9
泥质? P
. -
-- -
LHFlGKA4
1
目录
页面
1引言................................................ ......
1 .L产品概述............................................. ...
2个运行原理................................
2.1数据保护............................................... ....
3总线操作............................................. .. .....
3.1阅读................................................ ...................
3.2输出禁止............................................... .....
3.3
3.4
3.5
3.6
待机................................................. ..............
深度掉电..............................................
读取识别码操作.. .......................
查询操作................................................ ..
3
3
6
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
11
11
11
11
12
12
页面
5设计考虑................................
.30
5.1三线输出控制................................
.30
5.2 STS和块擦除,整片擦除, (多)
字/字节写和块锁定位配置
投票.. ............................................... ..............
.30
5.3电源去耦.. ...............................
.30
5.4 V ,,跟踪印刷电路板.. ............... 0.30
5.5 V ,,, V ,,, RP #转换.............................. ..
.31
5.6电/断电保护.. ........................ 0.31
5.7功耗.............................................
.31
6电气特性........................ ..
6.1绝对最大额定值..............................
6.2工作条件........................................
6.2.1电容.............................................. ..
.32
.32
.32
3.7写.. .............................................. ....................
4命令定义.......................................
4.1读阵列命令.. .....................................
4.2读取识别码命令.. ....................
4.3读状态寄存器命令.. .....................
4.4清除状态寄存器命令.. .....................
4.5查询命令...............................................
4.5.1模块状态寄存器..................................
.32
6.2.2 AC输入/输出测试条件.. ............... 0.33
6.2.3直流特性.. .....................................
.34
6.2.4交流特性 - 只读操作0.36
AC特征 - 写操作......... 0.39
另类CE# -Controlled写.. ............. 0.41
复位操作........................................
.43
块擦除,整片擦除, (多)
字/字节写和块锁位
配置性能........................ ..
.44
45
45
6.2.5
6.2.6
6.2.7
6.2.8
4.5.2 CFI查询标识字符串.. ..................... 13
4.5.3系统界面的信息.. ..................... 13
4.5.4设备几何定义......................... 14
4.5.5 SCS OEM特定的扩展查询表。 。
14
4.6块擦除命令.................................... ..
15
4.7整片擦除命令................................
15
4.8字/字节写命令.. ........................
4.9多字/字节写命令.. ....................
4.10块擦除挂起命令.. .....................
16
16
17
7附加信息................................
7.1订购信息..........................................
-
4.11 (多)字/字节写入暂停命令... 17
4.12设置块锁定位命令.. ........................ 18
4.13清除块锁定位命令.. ..................... 18
4.14 STS配置命令......................... 19
修订版1.9
SHAFZP
-
LHF16KA4
2
LH28F160S5NSL70
1GM - BIT ( 2MBx8 / 1 MBxl6 )
智能5快闪记忆体
I
SMART技术5
- 5V VCC
- SV VPP
●增强型数据保护功能
- 绝对保护与Vpp的= GND
- 灵活的块锁定
- 擦除/电源中写入锁定
TRANSITIONS
n扩展循环能力
- 100000块擦除周期
- 3.2亿块擦除周期/片
n低电源管理
- 深度掉电模式
- 自动节能模式
ICC降低静态模式
ñ自动写入和擦除
- 命令的用户界面
- 状态寄存器
n业内标准包装
- 56引脚SSOP
ñ ETOXTM 'V非易失
技术
FL灰
ñ通用闪存接口( CFI )
- 通用&可升级接口
ñ可扩展指令集( SCS )
N高的速度写入性能
- 32'Bytes ×2面页缓冲区
- 2pslByte写入传输速率
I
I
I
高速读取性能
- 为70ns ( SV * O.25 / ! ) , 80ns的( 5V * OSV )
工作温度
- 0 ° C至+ 70 “C
增强的自动暂停选项
- 写暂停阅读
- 块擦除挂起写
- 块擦除挂起阅读
高密度对称阻止
架构
- 三十二个64K字节可擦除块
写接口
x8或x16操作
I
ñ CMOS工艺
( P型硅衬底)
N不设计或评定为辐射
硬化
ñ SRAM兼容
否用户可配置
SHARP的LH28F160S5NS -L70
闪速存储器与智能5技术是一种高密度,低成本,非易失性,
读/写用于广泛的应用中的存储解决方案。其对称封闭的架构,灵活的电压
苏州高新区循环扩展提供了高度灵活的组件适合居住闪存阵列, SlMMs和内存
:急性呼吸窘迫综合征。其增强的暂停功能,提供了代码+数据存储应用的理想解决方案。为
安全代码存储应用,如网络,其中代码被直接执行的总分闪光或
下载到DRAM中, LH28F160S5NSL70
提供了三个级别的保护:采用V绝对保护,,在
苏州高新区,选择硬件模块的锁定,或者灵活的软件模块锁定。这些替代方案为设计人员提供
Jltimate控制其代码的安全需求。
该LH28F160S5NS - L70是顺应了闪光灯可扩展指令集( SCS)和通用闪存接口
CFI)规范,它使通用和升级接口,支持最高系统/设备的数据传输
“阿泰和尽量减少设备和系统级的实施成本。
该LH28F160S5NS -L70
制造夏普的0.35微米ETOX TM * V的工艺技术。
ndustry标准封装: 56引脚SSOP封装,非常适合电路板受限的应用。
“ ETOX是Intel Corporation的注册商标。
修订版1.9
它进来
SHARP
.-
1引言
数据表
包含
LH28F160SSNSL70
规格。部1提供的闪速存储器
概述。第2, 3 ,4和5描述的
记忆的组织和功能。第6节
涵盖电气规格。
LHF16KA4
3
从任何其他闪存阵列执行代码
位置。
个别块锁定使用位的组合
和WP # , 32块锁定位,锁定和
解锁块。块锁定位闸块擦除,全
芯片擦除和(多)字/字节写操作。
块锁定位配置操作(设置座
锁定位和清除块锁定位指令)集
和清除块锁定位。
状态寄存器指示时, WSM的块
擦除,整片擦除, (多)字/字节写入或块
锁位配置操作完成。
在STS输出给WSM的附加指标
通过同时提供硬件的状态信号活动
(相对于软件轮询)和屏蔽状态
(中断为背景的块擦除掩蔽,为
例子)。使用STS最小化这两个状态轮询
CPU开销和系统的功耗。 STS
引脚可以被配置为使用不同的状态
配置命令。在STS管脚默认
RY / BY #操作。当低, STS表示该
WSM的执行块擦除,整片擦除,
(多)字/字节写入或块锁定位配置。
STS -高Z表示WSM是准备好了
新的命令,块擦除暂停和(多)
字/字节写操作无效, (多)字/字节写
悬浮,或者该设备是在深度掉电
模式。其他3个备用配置均
脉冲模式用作一个系统中断。
访问时间是70ns的( tAvQv )在商用
温度范围( 0℃〜 + 70 “ C)和V i,供给
电压范围4.75V - 5.25V的。在较低的V, -c电压,
访问时间为80ns ( 4.5V - 5.5V ) 。
自动
省电( APS )功能
实质上降低有功电流时,该设备
在静态模式(地址不切换) 。在APS
模式,典型电流图标为5V V ,, 1毫安。
当任CEC #或CE #和RP #引脚在Vcc ,
国际刑事法院的CMOS待机模式下启用。当
RP #脚为GND ,深度掉电模式
启用最大限度地减少功耗和
提供复位期间写保护。复位时间
( tpHQv )从RP #需要切换到高
输出是有效的。同样地,该装置具有一个唤醒
时间( tPHEL )从RP # - 高,直到写入崔正
认可。随着RP #在GND时, WSM被复位,
状态寄存器清零。
该器件采用56引脚SSOP封装(收缩
小外形封装) 。引脚分布示于图2 。
1.L产品概述
该LH28F160S5NSL70
是一个高性能16M-
位智能
5闪存
有组织的
as
2MBx8 / 1 MBxl6 。数据的2MB被布置在
32 64K字节的块,分别是
可擦除,可锁定和解锁在系统。该
存储器映射如图3所示。
5智能“技术提供了维生素C的选择,
V i,组合,如表1所示,满足
系统的性能和功耗的期望。 5V武,
提供了最高的读取性能。 V ,,在5V
省去了一个单独的12V转换器,
而V ,, = 5V
最大化
抹去
性能。
除了灵活的擦除和
编程电压,专用V i,销给出
完整的数据保护时, V + V ,, L。
表1. V ,,和VP ,电压组合
提供的智能5技术
VCC电压
VPP电压
ê ; V
!四
发现
国内
VCO。和
电路
VW
自动配置该设备优化
读取和写入操作。
.I’
A命令的用户界面( CUI)作为
系统处理器和内部之间的接口
该装置的操作。一个有效的命令序列
写到崔启动设备的自动化。一
内部写状态机( WSM )自动
执行必要的算法和定时
块擦除,整片擦除, (多)字/字节写
和块锁位的配置操作。
块擦除操作会擦除设备中的一个
WK-字节的块通常在0.34s ( VCO 5V , 5V
V ,,)独立于其他块。每个块可以是
独立擦除10万次( 320万
每个设备块擦除) 。块擦除挂起模式
允许系统软件暂停块擦除到
读或从任何其它块中写入数据。
一个字/字节写在字节为单位进行
通常在9.24us (开路电压5V , 5V V ,,) 。多
字/字节写操作的高速写入性能
2uslbyte (开路电压5V , 5V V ,,) 。 (多)字/字节写
挂起模式使系统能够读取的数据或
修订版1.9
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    LHF16KA4
    应用领域和描述

    Flash Memory 16M (2MB 】 8/1MB 】 16)
    快闪记忆体16M ( 2MB 】 8 / 1MB 】 16 )

    总52页 (3363K) SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS
    SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS
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