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P
RODUCT
S
PECIFICATIONS
®
集成电路集团
LH28F160S3HT-L10A
16M ( 2MB × 8 / 1MB × 16 )
(型号: LHF16KA7 )
FL灰内存
规范编号: EL127111A
发行日期: 2000年8月29日
SHARP
.-
LHF16KA7
-
l
小心处理文档中所包含的材料受国际版权保护
法。禁止任何复制,充满该材料的部分或未经
该公司的书面许可。
l
当使用本文中所涵盖的产品,请注意这里写的条件
并在下面的段落中列出的事项。在任何情况下,本公司
有责任从失败造成的任何损坏要严格遵守这些条件,
预防措施。
( 1 )所涉及的产品中,设计和制造用于以下
的应用领域。当使用本文中所涵盖的所列设备产品
在第( 2 ) ,即使是以下应用领域,一定要遵守
在段落中给出的注意事项( 2 ) 。不要使用产品所列设备
在第( 3 ) 。
i
*办公电子设备
l
仪器仪表和测量设备
l
机床
aAudiovisual设备
*家电
l
通信设备比干线等
(2)利用覆盖这里为以下设备的产品的那些打算
它要求高可靠性,应首先联系销售代表
公司再接受集成到设计负责故障安全
操作时,冗余和其它适当的措施,以确保可靠性和
的设备和整个系统的安全性。
用于飞机,火车,汽车和其他 - 控制和安全装置
交通运输设备
*计算机主机
l
Tcaffic
控制系统
AGAS泄漏探测器和自动切断装置
*救援及安全设备
@Othersafety设备和安全设备等。
( 3 )不要使用本文中所涵盖的产品用于以下设备它要求
极高的性能的功能性,可靠性,或准确性方面。
aAerospace设备
l
通信设备干线
l
控制设备为核电行业
l
相关的生活配套等医疗设备
(4)请直接与有关上述的解释的所有查询和注释
三段销售代表的公司。
l
请直接对本文涉及到一个销售代表的产品的所有查询
该公司的。
Rev.1.9
SHARP
. -
_-
--
LHF16KA7
1
目录
页面
我介绍................................................ ......
1.1产品概述............................................. .. 。
2个运行原理................................
2.1
数据保护................................................ ...
3总线操作............................................. .. .....
3.1阅读................................................ ...................
3.2 O&put禁用............................................... .....
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
待机.. ............................................... ..............
深度掉电..............................................
读取识别码操作.. .......................
查询操作................................................ ..
写.. ............................................... ...................
3
3
6
7
7
7
7
7
7
8
8
8
8
11
11
11
11
12
12
13
13
14
14
15
15
16
16
17
页面
5设计考虑................................ .3C
5.1三线输出控制................................ .3C
5.2 STS和块擦除,整片擦除, (多)
字/字节写和块锁定位配置
投票................................................. ...............
5.3电源去耦..................................
5.4 V ,,跟踪印刷电路板............... ..
5.5的Vcc ,V ,,,, RP #转换.............................. ..
5.6电/断电保护.. ........................
5.7功耗.............................................
3c
3c
.3C
.31
.31
.31
6电气特性.. ........................ .3i
6.1绝对最大额定值.............................. .3i
6.2工作条件.........................................
32
6.2.1电容.............................................. ...
32
6.2.2
6.2.3
6.2.4
6.2.5
6.2.6
6.2.7
6.2.8
AC输入/输出测试条件.. ............... .3Z
直流特性........................................
34
交流特性 - 只读操作.3E
AC特征 - 写操作.. ....... .3E
另类CE# -Controlled写.. ............. 0.41
复位操作........................................
.4Z
块擦除,整片擦除, (多)
字/字节写和块锁位
CON组fi guration
性能........................ ..
.44
4E
46
1命令定义.. .....................................
4.1读阵列命令.......................................
4.2读取识别码命令......................
4.3读状态寄存器命令.. .....................
4.4清除状态寄存器命令.. .....................
4.5查询命令...............................................
4.51模块状态寄存器..................................
4.5.2 CFI查询识别斯唐.. .....................
4.5.3系统Interface.lnformation .. .....................
4.5.4设备几何定义.........................
4.5.5 SCS OEM特定的扩展查询表..
4.6块擦除命令.................................... ..
4.7整片擦除命令................................
4.8字/字节写命令.. ........................
4.9多字/字节写命令......................
4.10块擦除挂起命令.. .....................
7附加信息................................
7.1订购信息..........................................
4.11 (多)字/字节写入暂停命令... 17
4.12设置块锁定位命令.. ........................ 18
4.13清除块锁定位命令.. ..................... 18
4.14 STS配置命令......................... 19
-
修订版1.9
泥质? P
LHFlGKA7
-
2
LH28F160S3HT -L1的OA
1 GM- BIT ( 2MBx8 / 1 MBxl6 )
智能3快闪记忆体
ñ智能3技术
- 2.7V或3.3V的Vcc
- 2.7V , 3.3V或SV Vpp的
I
I
通用闪存接口( CFI )
- 通用&可升级接口
可扩展指令集( SCS )
n
增强的数据保护功能
- 绝对保护与Vpp的= GND
- 灵活的块锁定
- 擦除/电源中写入锁定
TRANSITIONS
N高的速度写入性能
- 32字节×2面页缓冲区
- 2.7 @Byte写入传输速率
N高高速读取性能
- 1OOns ( 3.3V * O.3V )为120ns ( 2.7 \\ 1-3.6V )
I
工作温度
- -40 ° C至+ 85X
n扩展循环能力
- 100000块擦除周期
- 3.2亿块擦除周期/片
n低电源管理
- 深度掉电模式
- 自动节能模式
ICC降低静态模式
ñ自动写入和擦除
- 命令的用户界面
- 状态寄存器
n业内标准包装
- 56引脚TSOP
ñ ETOgTM * V非易失
技术
FL灰
●增强型自动暂停选项
- 写暂停阅读
- 块擦除挂起写
- 块擦除挂起阅读
N高密度对称阻止
架构
- 三十二个64K字节可擦除块
I
I
SRAM兼容
用户可配置
写接口
x8或x16操作
ñ CMOS工艺
( P型硅衬底)
N不设计或评定为辐射
硬化
SHARP的LH28F160S3HT , LlOA
闪存智能3技术是一种高密度,低成本,非易失性,
*对于一个宽范围的应用的CAD /写的存储解决方案。其对称封闭的架构,灵活的电压
并延长循环提供了高度灵活的组件适合居住闪存阵列, SlMMs和内存
:急性呼吸窘迫综合征。其增强的暂停功能,提供了代码+数据存储应用的理想解决方案。为
安全代码存储应用,如网络,其中代码被直接执行的总分闪光或
下载到DRAM中, LH28F160S3HT , LlOA
提供了三个级别的保护:采用V绝对保护,,在
? ND ,选择硬件模块的锁定,或者灵活的软件模块锁定。这些替代方案为设计人员提供
Jltimate控制其代码的安全需求。
该LH28F160S3HT - LlOA
是顺应了闪存可扩展指令集( SCS)和通用闪存
覆盖整个院落( CFI)规范,它使通用和升级接口,支持最高系统/设备
数据传输速率和减少设备和系统级的实施成本。
该LH28F160S3HT - LlOA
制造夏普的0.35微米ETOX TM * V的工艺技术。
ndustry标准封装: 56引脚TSOP适合用于板受限的应用。
“ ETOX是Intel Corporation的注册商标。
它进来
修订版1.9
SHARP
.-
1引言
该数据表
包含
LH28F160S3HT -L1的OA
规格。部1提供的闪速存储器
概述。第2, 3 ,4和5描述的
记忆的组织和功能。第6节
涵盖电气规格。
LHFlGKA7
3
写暂停模式使系统能够读取的数据的
或从任何其它闪存阵列执行代码
位置。
1
1.L产品概述
该LH28F160S3HT -L1的关节炎是一种高性能的
16M位3智能闪存作为举办
2MBx80MBxl6.
数据的2MB被布置在
32 64K字节的块,分别是
可擦除,可锁定和解锁在系统。该
存储器映射如图3所示。
智能3 “技术提供了V的选择,,并
V i,组合,如表1所示,满足
系统的性能和功耗的期望。 2.7V
维生素C ,消耗大约五分之一的功率
5V维生素C ,. V ,,在2.7V , 3.3V和5V消除
需要使用单独的12V转换器,而V i, = 5V
最大限度地消除和写入性能。此外
以灵活的擦除和编程电压,专用
V ,,销给了完整的数据保护时,
个别块锁定使用位的组合
和WP # ,三十二块锁定位,锁定蚂蚁
解锁块。块锁定位闸块擦除,全
芯片擦除和(多)字/字节写操作。
块锁定位配置操作(设置座
锁定位和清除块锁定位指令) SEI
和清除块锁定位。
状态寄存器指示时, WSM的块
擦除,整片擦除, (多)字/字节写入或块
锁位配置操作完成。
在STS输出给WSM的附加指标
通过同时提供硬件的状态信号活动
(与软件
轮询)和状态maskins
(中断为背景的块擦除掩蔽, FOL
例子)。使用STS状态轮询减少博特
CPU开销和系统的功耗。 STS
引脚可以被配置为使用不同的状态
配置命令。在STS引脚默认TC
RY / BY #操作。当低, STS表示该
WSM的执行块擦除,整片擦除
(多)字/字节写入或块锁定位配置
STS -高Z表示WSM是准备好了
新的命令,块擦除暂停(多:
字/字节写操作无效, (多)字/字节写
暂停或设备处于深度关电dowr
模式。其他3个备用配置是人
脉冲模式用作一个系统中断。
存取时间为100ns ( tAVQv )在extendec
温度范围(-40 ° C至+ 85 “C )和Vc , suppI \\
电压范围3.OV - 3.6V的。在较低的V i,电压,则
访问时间是120ns的( 2.7V - 3.6V ) 。
自动
省电( APS )功能
实质上降低有功电流时,该设备
在静态模式(地址不切换) 。在APS
m'ode ,典型的我,,,电流为3 mA的3.3VV ,C 。
当CE #或CE #和RP #引脚在V ,,
在我,, CMOS待机模式下启用。当
RP #脚为GND ,深度掉电模式下IC
启用最大限度地减少功耗和
提供复位期间写保护。复位时间
( tPHav )从RP #需要切换到高
输出是有效的。同样地,该装置具有一个唤醒
时间( tPHEL )从RP # - 高,直到写入崔正
认可。随着RP #在GND时, WSM被复位,
状态寄存器清零。
该器件采用56引脚TSOP (薄型小可用
外形封装,1.2毫米厚) 。引脚排列如图
图2中。
表1. Vcc和VPP电压组合
通过提供智能3技术
VCC电压
VPP电压
2.7V
2.7V, 3.3V, 5V
3.3v
3.3v, 5v
发现
电路
国内
副总裁,
VW
自动配置该设备优化
读取和写入操作。
A命令的用户界面( CUI)作为
系统处理器和内部之间的接口
该装置的操作。一个有效的命令序列
写到崔启动设备的自动化。一
内部写状态机( WSM )自动
执行必要的算法和定时
块擦除,整片擦除, (多)字/字节写
和块锁位的配置操作。
4块擦除操作会擦除设备中的一个
% LK字节的块通常在0.41s ( 3.3V的Vcc , 5V
副总裁)独立于其他块。每个块可以是
独立擦除10万次( 320万
olock每个设备擦除) 。块擦除挂起模式
允许系统软件暂停块擦除到
读或从任何其它块中写入数据。
一个字/字节写在字节为单位进行
通常在12.95ps ( 3.3V V ,,, 5V副总裁) 。多
字/字节写操作的高速写入性能
2.7@byte ( 3.3V V ,,, 5V副总裁) 。 (多)字/字节
修订版1.9
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12 SHARP
    LHF16KA7
    应用领域和描述

    Flash Memory 16M (2MB 】 8/1MB 】 16)
    快闪记忆体16M ( 2MB 】 8 / 1MB 】 16 )

    总53页 (3513K) SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS
    SHARP ELECTRIONIC COMPONENTS
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