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2SD1794

更新时间：2024-09-18 02:24:35
品牌：SHINDENGEN
描述：Darlington Transistor(10A NPN)

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PCB计价

2SD1794 概述

Darlington Transistor(10A NPN) 达林顿晶体管（ 10A NPN ） 功率双极晶体管

2SD1794 规格参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.85
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：200 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：1500JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：2
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：50 W
最大功率耗散 (Abs)：50 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：CHOPPER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
最大关闭时间（toff）：17000 ns最大开启时间（吨）：2000 ns
VCEsat-Max：1.5 VBase Number Matches：1

2SD1794 数据手册

通过下载2SD1794数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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SHINDENGEN  
Darlington Transistor  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SD1794  
Case : ITO-220  
(TP10L20)  
Unit : mm  
10A NPN  
RATINGS  
●Absolute Maximum Ratings  
Item  
Storage Temperature  
Conditions  
Symbol  
Tstg  
Tj  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Ratings  
-55～+150  
Unit  
℃
℃
V
V
V
Junction Temperature  
+150  
200  
200  
7
Collector to Base Voltage  
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
Collector Current DC  
I
10  
A
C
Collector Current Peak  
Base Current DC  
I
I
15  
0.5  
1.0  
A
A
A
CP  
B
Base Current Peak  
I
BP  
Total Transistor Dissipation  
Dielectric Strength  
PT  
Tc = 25℃  
50  
2
0.5  
W
kV  
N･m  
Terminals to case AC 1 minute  
(Recommended torque : 0.3N･m）  
Vdis  
TO R  
M ounting Torque  
●Electrical Characteristics (Tc=25℃)  
Item  
Symbol  
Conditions  
VCB = 200V  
Ratings  
M ax 0.1  
M ax 0.1  
M ax 5  
Unit  
Collector Cutoff Current  
I
mA  
CBO  
I
VCE = 200V  
CEO  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
VEB = 7V  
mA  
EBO  
hFE  
VCE = 3V, I = 5A  
C
M in 1,500  
M ax 30,000  
M ax 1.5  
M ax 2.0  
M ax 2.5  
TYP 20  
M ax 2  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
θjc  
IC = 5A  
V
V
Base to Emitter Saturation Voltage  
Thermal Resistance  
I = 10mA  
B
Junction to case  
℃/W  
M Hz  
Transition Frequency  
Turn on Time  
VCE = 10V, IC = 1A  
f
ton  
T
I = 5A  
C
Storage Time  
Fall Time  
ts  
I = I = 10mA  
B2  
M ax 12  
M ax 5  
μs  
B1  
RL = 6Ω  
VBB2 = 4V  
tf  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
F E  
D C C u r r e n t G a i n h  
B E  
[ V ]  
B a s e - E m i t t e r V o l t a g e V  
C E  
[ V ]  
C o l l e c t o r - E m i t t e r V o l t a g e V  
2SD1794  
Switching Time - IC  
10  
t
s
t
f
1
t
on  
I
I
= 0.002I  
= 0.002I  
B1  
C
B2  
C
V
V
= 4V  
= 50V  
BB2  
CC  
Tc = 25°C  
0.1  
0
2
4
6
8
10  
Collector Current IC [A]  
2SD1794  
Switching Time - Tc  
10  
t
s
t
f
1
t
on  
I = 5A  
C
I
B1  
I
B2  
= 10mA  
= 10mA  
V
V
= 4V  
= 50V  
BB2  
CC  
0.1  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
C ° / W ] j c q ( t ) [  
T r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d  
2SD1794  
Forward Bias SOA  
15  
10  
10ms  
1ms  
150ms  
DC  
P limit  
T
1
I
limit  
S/B  
0.1  
Tc = 25°C  
Single Pulse  
0.01  
1
10  
100  
200  
Collector-Emitter Voltage VCE [V]  
2SD1794  
Collector Current Derating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
I
limit  
S/B  
P limit  
T
V
CE  
= fixed  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SD1794  
Reverse Bias SOA  
20  
15  
10  
5
I
I
V
= 0.002I  
B1  
C
= 0.004I  
= 5V  
B2  
C
BB2  
Tc = 25°C  
0
0
40  
80  
120  
160  
200  
240  
280  
320  
Collector-Emitter Voltage VCE [V]  

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