SG5S4M [SHINDENGEN]
Schottky Barrier Diode; 肖特基二极管
| 型号： | SG5S4M |
| 厂家： | 
SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD |
| 描述： | Schottky Barrier Diode |
| 文件： | 总2页 (文件大小：141K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
SchottkyBarrierDiode
Single
■外観図 OUTLINE
Package：FTO-220G
Unit：mm
SG5S4M
ロット記号（例）
10
4.5
40V5A
Date code
管理番号（例）
Control No.
特 長
煙低V
F
品名略号
煙低ノイズ
S0000
Type No.
G5S4M
煙高速スイッチング
煙フルモールド
極性
Polarity
Feature
煙LowV
F
煙LowNoise
① ② ① ②
煙HighRecoverySpeed
煙FullMolded
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
指定のない場合
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（
Tc＝25℃）
項
目
記号
条
件
規格値
単位
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
保存温度
Tstg
Tj
－55～150
150
40
℃
℃
StorageTemperature
接合部温度
OperationJunctionTemperature
せん頭逆電圧
V
RM
V
Maximum ReverseVoltage
繰り返しせん頭サージ逆電圧
パルス幅0.5ms,duty1/40
V
RRSM
45
V
RepetitivePeakSurgeReverseVoltage
Pulsewidth0.5ms,duty1/40
出力電流
50Hz正弦波，抵抗負荷，Tc＝131℃
Io
5
A
AverageRectifiedForwardCurrent
50Hzsinewave,Resistanceload,Tc=131˚C
せん頭サージ順電流
50Hz正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj＝25℃
I
150
1.5
A
FSM
PeakSurgeForwardCurrent
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C
絶縁耐圧
一括端子・ケース裏面間，AC1分間印加
Vdis
TOR
kV
N・m
DielectricStrength
Terminalstocase,AC1minute
締め付けトルク
（推奨値：0.3N・m）
0.5
MountingTorque
(Recommendedtorque:0.3N・m)
指定のない場合
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（
Tc＝25℃）
MAX
0.52
0.47
順電圧
パルス測定
V
I＝5A,
F
V
F
ForwardVoltage
Pulsemeasurement
TYP
MAX
逆電流
パルス測定
I
R
V ＝40V,
R
0.5
157
5.0
mA
pF
ReverseCurrent
Pulsemeasurement
接合容量
TYP
MAX
Cj f＝1MHz,V ＝10V
R
JunctionCapacitance
熱抵抗
接合部・ケース間
θjc
℃/W
ThermalResistance
Junctiontocase
（J533-P〈2010.06〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
SG5S4M
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
順方向特性
順電力損失曲線
せん頭サージ順電流耐量
Forward Voltage
Forward Power Dissipation
Peak Surge Forward Current Capability
５０
５
２００
Sine wave
IO
０
DDCC
tp
２０
１０
５
DD＝００．．８８
D＝tp/T
４
３
２
１
０
T
１０ms１０ms
１５０
００．．５
１cycle
Tj＝１５０℃
SSIINN
００．．３
Non-repetitive
Tj＝２５℃
００．．２２
００．．１１
００．００５５
１００
５０
０
２
１
Tc＝１５０℃（MAX）
Tc＝１５０℃（TYP）
Tc＝２５℃（MAX）
Tc＝２５℃（TYP）
０．５
０．２
０．１
Pulse measurement
０
０．５
１
１．５
２
２．５
０
１
２
３
４
５
６
７
８
１
１０
１００
Forward Voltage VF〔V〕
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Number of Cycles 〔cycle〕
逆方向特性
逆電力損失曲線
接合容量
Junction Capacitance
Reverse Current
Reverse Power Dissipation
１００
４.５
０
５０００
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
V
R
Tc＝１５０℃（TYP）
DCC
４
３.５
３
D＝０．００５
tp
２０００
D＝tp/T
Tc＝１２５℃（TYP）
Tc＝１００℃（TYP）
０．１１
０．２２
０．３３
１０
T
１０００
Tj＝１５０℃
５００
１
Tc＝ ７５℃（TYP）
Tc＝ ５０℃（TYP）
２.５
２
２００
０．５５
０．１
１００
１.５
１
５０
Tc＝ ２５℃（TYP）
SIINN
００．８８
０．０１
０５.
０
２０
Pulse measurement
２５ ３０ ３５
０．００１
１０
０．１ ０．２
０
５
１０
１５
２０
４０
０
１０
２０
３０
４０
０．５
１
２
５
１０
２０
４０
Reverse Voltage VR〔V〕
Reverse Voltage VR〔V〕
Reverse Voltage VR〔V〕
I
O
ディレーティングカーブ
過渡熱抵抗
Tc-Io
０
０
Derating Curve Tc-Io
Transient Thermal Impedance
V
R
V
R＝２０V
９
１０
tp
D＝tp/T
T
DDCC
８
θjc
５
DD＝＝００．．８８
７
６
００．．５５
２
１
SSIINN
５
００．．３３
４
００．．２２
０.５
３
００．．１１
００．．００５５
２
０.２
０.１
１
０
０
２０
４０
６０
８０ １００ １２０ １４０ １６０
０.０００１０.００１
００. １
０.１
１
１０
１００
１０００
Case Temperature Tc 〔℃〕
Time t〔s〕
＊Sinewaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsinewaveisusedformeasurements.
（J533-P〈2010.06〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明