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˚F 1 6C M
1F 0 P
60 1
0 V1的一个
特 長
煙�½�オン抵抗
煙絶縁タイプ
■外観図
Ø牛逼IE
ü LN
nt
U I毫米
P c进行(E T) -2 A
A K克
:F
O 2为0G
(例)
ロ ト記号
日期代码
管理番号
(例)
控制号
10
4.5
0000
品名略号
型号
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煙L
wR
N
o
O
煙I
L E A K克
是个DP ℃的é
ot
11F60CPM
13.5
15
①②③
①: G
②:D
③: S
外�½�図については新電元We サイトをご参照下さい。
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捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
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■定格表
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指定のない場合
博吨
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記号
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一括端子 ケース間, C1
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(推奨値0 N M)
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パルス幅1μsd T = / 0
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s
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●絶対最大定格
Im
t
e
T = 2 ℃ /其他TEWI seie )
C 5 ü升哦R 5 P C I
s
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規格値
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n
-5�½�10
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5
W
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V
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V
条 件
Ç妮ñ
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o
保存温度
SOA等MP RTR
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チャネル温度
Ç A N L E eaue
H N (E T) MP RTR
ドレイン �½ース間電圧
D上 - Ø REV L G
里统一通信Ø A E
n
t
ゲート �½ース間電圧
D上 - Ø REV L G
里统一通信Ø A E
n
t
ドレイン電流
(直流)
Ç妮O 2 S瓮里(C
Ø吨U U大
n
NC ř TD)
e
ドレイン電流
(ピーク)
Ç妮O 2 S里瓮(五ķ
Ø吨U U大
n
NC ř TP节目的)
e
�½ース電流
(直流)
ÇにS 0 REC R N (C
Ø吨U U统一通信UR TD)
n
e
全損失
牛逼TL产地证电子DSI公司T N
OA P W R I P我
s AO
絶縁耐圧
德CR T N T
即TCSR GH
升即
締め付けトルク
莫妮OQ ê
ü吨中gTる
n
●電気的 熱的特性
Im
t
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指定のない場合
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ci
sc
記号
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S
V
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gs
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S
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S
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Cs
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值D N
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5
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V
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S
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S
=0
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D
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V
S
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D
=0
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G
=±3V V
S
I = 5 A,
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D
I=1
毫安,
DS
=1V
V
0
D
我。 V
S
=0
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G
5
V
S
接合部 ケース間
J·N吨NT中的é
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T = 2 ℃ /其他TEWI seie )
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N
Y
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0
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2
10
10
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6
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8
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1
0
±0
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1
0
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5
2
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5
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F
単�½�
Ui
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t
V
μA
S
Ω
V
℃/
W
n
C
条 件
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Ø DT s
i
o
ドレイン �½ース間降伏電圧
D上 - Ø reBe ķ Ø纳伏L G
里统一通信RA ð W 0 A E
n
t
ドレイン遮断電流
Z R AEV L G瓮里
EOG吨o一个ED一
t
NC ř吨
e
ゲート漏れ電流
摹T- Ô REL一个一个的eC R N
AES UC ê ķ克乌尔吨
e
順伝達コンダクタンス
由于F R ADTA S 0 ð CA ç
嗷嗷ř RN C N ü TN ê
ドレイン �½ース間オン抵抗
世り统一通信nsaeR s TN ê
TT一 - Ø REO -tt E I是C
CD ñ
s
ゲートしきい値電圧
克叔他S 0 0 A E
AET RSH升L G
牛逼的dV
�½ース ドレイン間ダイオード順電圧
统一通信 - 里我EF R A伏特L G
O型红一
NDO
ð流D 2 O A E
t
熱抵抗
牛逼EMA R 5 TN ê
H·R升EIA ç
s
ゲート全電荷量
牛逼TL AEC公司
OA克叔ħ重
入力容量
I U中c p CAC
NT·艾内一
p
t
帰還容量
诉雷塔S R A A I N é
Ë ES RN F c的P C A C
e
t
出力容量
Ø恩Ç P C A C
了T A A I否E
t
ターンオン遅延時間
牛逼R- ND L T
UNO E Y我
就给我
上昇時間
RS I
我我
et
ターンオフ遅延時間
牛逼R- FD L T
unof E Y我
就给我
下降時間
FLI
at
升我
R
S上
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G
=1V
. V
S
0
5
(D )
D
V
S
0 ,
D
=1A,
DD
=40
1 V
0V
G
= 1V我
性S E
0 00
MO F T 2 1 0.7
WWW 。 ID N即。 / RD C /英里
S N例如数控Ĵ PO ü T E /
h
op
s
˚F 1 6C M
1F 0 P
■特性図
出力特性
C A为T RS I DA ř MS
H·R权证ITC IG一
伝達特性
ドレイン �½ース間オン抵抗─
ドレイン電流
典型的输出特性
V
GS
=
1 V
GS
Tc=25℃
典型值
脉冲测量
传输特性
2 T =−
0 �½�
2℃
 0
 5
静态漏源通态电阻与漏电流
静态漏源通态阻抗R
DS ON)
〔Ω〕
V
GS
= 0V
TC = 5 ℃
典型值
脉冲测量
V
GS
=6
GS
=6
漏电流I
D
〔A〕
漏电流I
D
〔A〕
GS
=5
V
GS
=5
V
DS
=20V
典型值
脉冲测量
V
GS
=4
GS
漏源电压V
DS
〔V〕
门源电压V
GS
〔V〕
05
. 0
漏电流I
D
〔A〕
ドレイン �½ース間オン抵抗─ケース温度
ゲー し
ト きい値電圧─ケース温度
安全動�½�領域
静态漏源导通电阻与外壳温度
静态漏源通态阻抗R
DS ( ON)
〔Ω〕
脉冲测量
栅极阈值电压VS案例
温度
脉冲测量
安全工作区
10
栅极阈值电压V
TH
〔V〕
漏电流I
D
〔A〕
10μs
I
D
=5 A
=5
.
R
DS ON)
(上
限制
空间
100μs
200μs
1ms
10ms
V
DS
= 0V
I
D
=1
mA
典型值
−5
TC = 5 ℃
单脉冲
DC
01
−5
壳温度
〔℃〕
V
GS
= 0V
脉冲测试
典型值
10
10
壳温度
〔℃〕
10
10
01
漏源电压V
DS
〔V〕
10
60
過渡熱抵抗
キャパシタンス特性
全損失減少率─ケース温度
瞬态热阻抗
Trancient热阻θJC 〔℃ / W 〕
θJC
θJC
电容特性
电容西塞科斯的Crss 〔 pF的〕
功率降额 - 外壳温度
10
C�½�
�½��½�
功率降额
〔%〕
40
60
Co �½�
�½�
Cr �½�
�½�
f=
ΔMHz
TC = 5 ℃
典型值
10
-5
-4
-3
时间T
〔s〕
-2
-1
漏源电压V
DS
〔V〕
20
30
50
壳温度〔℃〕
10
15
10
ゲー
トチャージ特性
栅极电荷特性
50
I
D
=1
1A
典型值
漏源电压V
DS
〔V〕
40
30
V
DD
=4
=4 V
0V
0V
V
GS
GS
20
10
总栅极电荷Qg
²NC²
门源电压V
GS
〔V〕
V
DS
*锡はè 5Hで测定しています。
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0 00
MO F T 2 1 0.7
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0 CALIBER

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0 CALIBER

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14 CALIBER

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1.3mm /1.1mm Ceramic Surface Mount Crystals
2 ETC

F11G20C1

1.3mm /1.1mm Ceramic Surface Mount Crystals
5 ETC