电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
S-80922CNPF-G8STFG 内置延迟电路(外部设定延迟时间)超小型高精度电压检测器 (ULTRA-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR WITH DELAY CIRCUIT (EXTERNAL DELAY TIME SETTING))
.型号:   S-80922CNPF-G8STFG
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 内置延迟电路(外部设定延迟时间)超小型高精度电压检测器
ULTRA-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR WITH DELAY CIRCUIT (EXTERNAL DELAY TIME SETTING)
文件大小 :   539 K    
页数 : 36 页
Logo:   
品牌   SII [ SEIKO INSTRUMENTS INC ]
购买 :   
  浏览型号S-80922CNPF-G8STFG的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号S-80922CNPF-G8STFG的Datasheet PDF文件第9页 浏览型号S-80922CNPF-G8STFG的Datasheet PDF文件第10页 浏览型号S-80922CNPF-G8STFG的Datasheet PDF文件第11页 浏览型号S-80922CNPF-G8STFG的Datasheet PDF文件第13页 浏览型号S-80922CNPF-G8STFG的Datasheet PDF文件第14页 浏览型号S-80922CNPF-G8STFG的Datasheet PDF文件第15页 浏览型号S-80922CNPF-G8STFG的Datasheet PDF文件第16页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
内置延迟电路(外部设定延迟时间)超小型高精度电压检测器
Rev.3.3
_00
S- 809xxC系列
手术
1.基本工作: CMOS输出(低电平有效)
1-1.
当电源电压(V
DD
)低于释放电压(+ V更高
DET
) , N沟道晶体管
OFF,P沟道晶体管来提供V
DD
(高)的输出。由于N沟道晶体管N1的
(R
B
+
R
C
)
V
DD
.
图14
为OFF时,比较器的输入电压为
R
A
+
R
B
+
R
C
1-2.
当V
DD
低于
+V
DET
时,输出提供在V
DD
电平,只要在V
DD
仍以上
检测电压
−V
DET
。当V
DD
瀑布下方
−V
DET
在( A点
图15),
N沟道
晶体管变为ON,P沟道晶体管变为OFF ,并且在V
SS
电平出现在输出端。在
这一次的N沟道晶体管N1的
图14
变为ON时,比较器的输入电压被改变为
R
B
V
DD
.
R
A
+
R
B
1-3.
当V
DD
低于最小工作电压,则输出不确定,或者进到
在V
DD
当输出被上拉至V
DD
.
1-4.
在V
SS
水平出现V时
DD
上升到高于最小工作电压。在V
SS
水平仍
即使出现在V
DD
超过
−V
DET
的,只要它不超过所述释放电压
+V
DET
.
1-5.
当V
DD
上述上升
+V
DET
在( B点
图15),
N沟道晶体管变为OFF, P沟道
晶体管接通,且V
DD
出现在延迟时间后输出(叔
D
)计算由延迟
电路。
V
DD
R
A
*1
*1
+
R
B
V
REF
延迟
电路
PCH
OUT
*1
*1
NCH
R
C
N1
CD
C
D
V
SS
*1.
寄生二极管
图14操作1
12
精工电子有限公司
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7