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S-80926CLPF-G6WTFG 内置延迟电路(外部设定延迟时间)超小型高精度电压检测器 (ULTRA-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR WITH DELAY CIRCUIT (EXTERNAL DELAY TIME SETTING))
.型号:   S-80926CLPF-G6WTFG
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描述: 内置延迟电路(外部设定延迟时间)超小型高精度电压检测器
ULTRA-SMALL PACKAGE HIGH-PRECISION VOLTAGE DETECTOR WITH DELAY CIRCUIT (EXTERNAL DELAY TIME SETTING)
文件大小 :   539 K    
页数 : 36 页
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品牌   SII [ SEIKO INSTRUMENTS INC ]
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100%
内置延迟电路(外部设定延迟时间)超小型高精度电压检测器
Rev.3.3
_00
S- 809xxC系列
2. CMOS输出产品
表8
检测电压
*1
滞后幅度
符号
−V
DET
V
HYS
条件
S- 80913至14
S- 80915 60
消耗电流
I
SS
V
DD
=2.0
V
V
DD
=3.5
V
V
DD
=4.5
V
V
DD
=6.0
V
V
DD
=7.5
V
S- 80913至14
S- 80915 26
S- 80927 39
S- 80940 54
S- 80955 60
( TA = 25 ° C除非另有说明)
TEST
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
电路
−V
DET (S )
−V
DET (S )
−V
DET (S )
V
1
×0.98
×1.02
−V
DET
−V
DET
−V
DET
×0.03
×0.05
×0.08
−V
DET
−V
DET
−V
DET
×0.03
×0.05
×0.07
1.0
2.5
2
μA
1.1
2.8
1.2
3.0
1.3
3.3
1.4
3.5
0.7
10.0
V
1
0.23
0.59
2.88
1.43
1.68
2.08
2.7
18
0.64
1.36
4.98
2.39
2.78
3.42
3.6
24
4.5
30
ms
4
5
mA
3
工作电压
输出电流
V
DD
I
OUT
延迟时间
t
D
输出晶体管,V
DD
=0.95
V
N沟道,V
DS
=0.5
V S- 80913至14
V
DD
=1.2
V
S- 80915 60
V
DD
=2.4
V
S- 80927 60
输出晶体管,V
DD
=4.8
V
PCH ,V
DS
=0.5
V S- 80913 39
V
DD
=6.0
V
S- 80940 54
V
DD
=8.4
V
S- 80955 60
V
DD
=2.0
V
C
D
=4.7
nF
S- 80913至14
V
DD
=3.5
V
S- 80915 26
V
DD
=4.5
V
S- 80927 39
V
DD
=6.0
V
S- 80940 54
V
DD
=7.5
V
S- 80955 60
Δ −
V
DET
PPM /
检测电压
1
±100
±350
TA = -40 ° C至
+85°C
*2
°C
温度COEF网络cient
Δ
Ta
• −
V
DET
*1.
−V
DET
:
实际的检测电压,
−V
DET (S )
:
设定检测电压(检测电压范围的中间值
表2 )
*2.
温度变化率的检测电压
[毫伏/ ° C]
通过使用以下等式计算。
Δ −
V
DET
[
毫伏/
°
C
]
*1
= −
V
DET
(
典型值。
)
[
V
]
*2
× Δ −
V
DET
[
PPM /
°
C
]
*3
÷
1000
Δ
Ta
Δ
Ta
V
DET
*1.
检测电压的温度变化率
*2.
设定检测电压
*3.
检测电压的温度系数
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9
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