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Si500S
S
炉火
- E
NDED
O
安输出
S
ILICON
O
S·C I L L A T O服务ř
特点
石英免费, MEMS ,无和PLL -免费全硅振荡器
任意输出频率从0.9至200兆赫
交货周期短
出色的温度稳定性( ± 20 PPM )
高度可靠的启动和运行
抗干扰能力强冲击和振动
低抖动: <1.5的ps RMS
0至85°C的操作,包括10年的老龄化热
环境
足迹与业界兼容
标准的3.2× 5.0毫米的XO
提供CMOS和SSTL版本
司机停下,三态,或断电
手术
符合RoHS
1.8 , 2.5或3.3 V选项
低功耗
超过10倍更合适的速度比
竞争Crystal解决方案
特定网络阳离子
参数
频带
温度稳定性,
0至+ 70°C
温度稳定性,
0 〜+ 85℃
总的稳定性,
0至+ 70°C操作
1
总的稳定性,
0至+85°C操作
2
工作温度
储存温度
1.8 V选项
电源电压
2.5 V选项
3.3 V选项
广告
扩展商业
条件
0.9
0
0
–55
1.71
2.25
2.97
典型值
±10
±20
最大
200
±150
±250
70
85
+125
1.98
2.75
3.63
单位
兆赫
PPM
PPM
PPM
PPM
°C
°C
°C
V
V
V
频率稳定度
注意事项:
1.
包括在25℃的初始频率精度,工作温度范围,供电电压的变化,输出负载变化,
第一年,在25 ℃下,冲击,振动,和一个焊料回流老化。
2.
包括在25℃的初始频率精度,工作温度范围,供电电压的变化,输出负载变化,
10年的在85℃下,冲击,振动,和一个焊料回流老化。
3.
请参阅“ AN409 :为Si500S和Si500D硅振荡器输出端接选项” ,了解有关更多详细信息
输出时钟终止建议。
4.
V
TT
= 0.5 x垂直
DD
.
5.
V
TT
= 0.45 x垂直
DD
.
修订版1.1 10/11
版权所有©2011 Silicon Laboratories公司
Si500S
Si500S
参数
条件
1.8 V选项,40个前锋, 40兆赫, CMOS
1.8 V选项, 10 pF的, 200兆赫, CMOS
2.5 V选项,40个前锋, 40兆赫, CMOS
2.5 V选项, 10 pF的, 200兆赫, CMOS
3.3 V选项,40个前锋, 40兆赫, CMOS
电源电流
3.3 V选项, 10 pF的, 200兆赫, CMOS
SSTL - 3.3 , 200兆赫
SSTL - 2.5 , 200兆赫
SSTL - 1.8 , 200兆赫
停止输出, CMOS
三州
断电
输出对称性
3
0.5× V
DD
CMOS ,C
L
= 15 pF的距离测量
20〜80 %的V
DD
SSTL
CMOS输出电压
SSTL- 1.8输出电压
4
SSTL- 2.5输出电压
4
SSTL- 3.3输出电压
5
通电时间
OE无效置到CLK停止
从输出驱动器返回
停止模式
从三态恢复时间
从掉电时间返回
周期抖动( 1 -Σ )
集成相位抖动
SSTL
3
1兆赫 - 0.4架F
OUT
, SSTL或CMOS
和C
L
< 7 pF的,
F
OUT
> 2.5兆赫
V
OH
,采购9毫安
V
OL
下沉9毫安
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
从时间V
DD
穿过分规范
供应
46 - 13纳秒/ T
CLK
V
DD
– 0.5
V
TT
+ 0.375
V
TT
+ 0.48
V
TT
+ 0.48
典型值
13.9
16.7
15.8
19.3
17.7
21.5
18.1
18.0
16.8
11.8
9.7
1.0
1.4
1
0.7
最大
16
19
18
22
20
24
20.2
19.7
18.7
13.1
10.7
1.9
54 +
13纳秒/ T
CLK
2.0
0.6
0.5
V
TT
– 0.375
V
TT
– 0.48
V
TT
– 0.48
2
250 +
3 x深
CLK
250 +
3 x深
CLK
12 + 3 x深
CLK
2
2
1.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
%
ns
ns
V
V
V
V
V
ms
ns
ns
µs
ms
ps
RMS
ps
RMS
上升和下降
注意事项:
1.
包括在25℃的初始频率精度,工作温度范围,供电电压的变化,输出负载变化,
第一年,在25 ℃下,冲击,振动,和一个焊料回流老化。
2.
包括在25℃的初始频率精度,工作温度范围,供电电压的变化,输出负载变化,
10年的在85℃下,冲击,振动,和一个焊料回流老化。
3.
请参阅“ AN409 :为Si500S和Si500D硅振荡器输出端接选项” ,了解有关更多详细信息
输出时钟终止建议。
4.
V
TT
= 0.5 x垂直
DD
.
5.
V
TT
= 0.45 x垂直
DD
.
2
修订版1.1
Si500S
包装规格
表1.包装图尺寸(mm )
A
A1
b
D
e
E
L
0.95
0.80
0.00
1.15
0.85
0.03
1.20
3.20 BSC
2.54 BSC
4.00 BSC
1.00
1.05
最大
0.90
0.05
1.25
L1
aaa
bbb
ccc
ddd
eee
0.00
0.05
最大
0.10
0.10
0.10
0.08
0.10
0.05
表2.垫连接
1
2
3
4
OE
GND
产量
VDD
表3.三州/关机/司机停下
在OE功能(第3选项代码)
A
B
C
活跃
活跃
D
活跃
电源 -
E
活跃
活跃
F
活跃
司机
停止
活跃
开放
活动活动
1
活跃
水平
0
水平
状态
状态
活跃
电源 -
司机
活跃
停止
C1
E
X1
Y1
(mm)
2.90
2.40
1.40
1.70
0 C CC CC
T TTT TT
Y Y WW
0 = Si500不仅
CCCCC =标记代码
TTTTTT =组装制造的代码
YY =年
WW =工作周
图1.推荐地格局
图2.顶标
修订版1.1
3
Si500S
环境合规性
参数
机械冲击
机械振动
焊锡耐热性
可焊性
湿热
湿度敏感度等级
条件/试验方法
MIL -STD- 883 ,方法2002.4
MIL -STD- 883 ,方法2007.3一
MIL- STD- 202 , 260℃
°
8秒
MIL -STD- 883 ,方法2003.8
IEC 68-2-3
J- STD- 020 , MSL 3
订购信息
该Si500S支持各种选项,包括频率,输出格式,电源电压,和三
国家/关机/输出驱动器停止模式。具体的设备配置编程到Si500S在
发货时间。配置采用下图中指定。硅实验室提供了一种基于网络的一部分
效用
可以
be
二手
to
简化
部分
配置。
参考
to
www.silabs.com/SiliconXOPartnumber
访问此工具。该Si500S硅振荡器在ROHS-提供
兼容, 4垫, 3.2× 4.0毫米包。磁带和卷轴包装可作为订购选项。
500S
X
X
X
XXMXXXX
频率
A
C
X
R
Si500不仅振荡器
1
st
选项代码
V
DD
A
D
E
H
J
M
3.3
3.3
2.5
2.5
1.8
1.8
格式
CMOS
SSTL
CMOS
SSTL
CMOS
SSTL
xMxxxxx :F
OUT
< 10兆赫
xxMxxxx : 10兆赫< ˚F
OUT
< 100兆赫
xxxMxxx :F
OUT
> 100兆赫
R =带卷&
空白=切割胶带
3
rd
选项代码
三州/关机/
输出驱动器停止
OE高有效/三态
A
OE低电平有效/三态
B
OE高有效/关机
C
OE低电平有效/关机
D
OE高有效/驱动器停止
E
OE低电平有效/驱动器停止
F
2
nd
选项代码
A
B
稳定性( ppm时,最大)
±150
±250
歌剧院。温度范围
F
0至70℃
*H
0至85 ℃的
产品版本= C
A
3.2× 4.0毫米SMD
*注:仅支持250 ppm的。
4
修订版1.1
Si500S
D
OCUMENT
C
焊割
L
IST
版本0.3到0.4版本
版本B到C版的订购信息更新
0 〜85 C°工作温度范围选项添加
多个CMOS输出格式代码中删除
版本0.4到1.0版本
澄清SSTL规范。
修订后的CMOS电源电流最大值。
版本1.0到1.1版本
更新订购信息± 250 ppm的从0到
+85 °C.
更新的抖动1.5 ps至1.5 ps的均方根。
更新操作温度以包括扩展
商业在0至+85°C 。
修订版1.1
5
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