SVF7N65STR [SILAN]
N-channel transistor;型号: | SVF7N65STR |
厂家: | SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK |
描述: | N-channel transistor |
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SVF7N65T/F/S 说明书
7A、650V N沟道增强型场效应管
描述
SVF7N65T/F/S N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士
兰微电子F-CellTM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞
结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击
穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压
H 桥PWM 马达驱动。
特点
7A,650V,RDS(on)(典型值 =1.1@VGS=10V
)
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了dv/dt 能力
产品规格分类
产 品 名 称
SVF7N65F
封装形式
TO-220F-3L
TO-263-2L
TO-263-2L
TO-220-3L
打印名称
SVF7N65F
SVF7N65S
SVF7N65S
SVF7N65T
环保等级
无铅
包装
料管
料管
编带
料管
无卤
SVF7N65S
SVF7N65STR
SVF7N65T
无卤
无铅
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SVF7N65T/F/S 说明书
极限参数(除非特殊说明,TC=25C)
参数范围
参
数
符 号
单位
SVF7N65T
SVF7N65F
SVF7N65S
漏源电压
栅源电压
VDS
VGS
650
±30
V
V
TC = 25C
TC = 100C
7.0
漏极电流
ID
A
4.4
漏极脉冲电流
IDM
PD
28.0
A
W
耗散功率(TC=25C)
145
46
120
- 大于25C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量(注 1)
1.16
0.37
0.96
W/C
mJ
C
EAS
TJ
435
工作结温范围
贮存温度范围
-55~+150
-55~+150
Tstg
C
热阻特性
参数范围
SVF7N65F
2.7
参
数
符 号
单位
SVF7N65T
0.86
SVF7N65S
1.04
芯片对管壳热阻
RθJC
RθJA
C/W
C/W
芯片对环境的热阻
62.5
62.5
62.5
电性参数(除非特殊说明,TC=25C)
参 数
漏源击穿电压
符 号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
测试条件
VGS=0V, ID=250µA
VDS=650V,VGS=0V
VGS=±30V,VDS=0V
VGS= VDS,ID=250µA
VGS=10V,ID=3.5A
最小值
典型值
最大值
单位
V
650
--
--
--
1.0
±100
4.0
1.4
--
漏源漏电流
--
µA
nA
V
栅源漏电流
--
--
栅极开启电压
导通电阻
2.0
--
--
1.1
789
98
输入电容
--
输出电容
VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz
VDD=325V,RG=25Ω,ID=7.0A
Coss
Crss
td(on)
tr
--
--
pF
ns
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
--
9.0
15.0
32.0
51.0
32.5
21.2
4.53
10.2
--
--
--
--
--
td(off)
tf
--
--
(注2,3)
VDS=520V,ID=7.0A,VGS=10V
--
--
Qg
--
--
栅极-源极电荷量
栅极-漏极电荷量
Qgs
--
--
nC
(注 2,3)
Qgd
--
--
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SVF7N65T/F/S 说明书
源-漏二极管特性参数
参 数
源极电流
符号
IS
测试条件
MOS 管中源极、漏极构成的反偏P-N
结
最小值
典型值
--
最大值
7.0
28.0
1.4
--
单位
--
--
--
--
--
A
源极脉冲电流
源-漏二极管压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
注:
ISM
VSD
Trr
--
IS=7.0A,VGS=0V
--
V
IS=7.0A,VGS=0V,
dIF/dt=100A/µs(注2)
499
3.0
ns
µC
Qrr
--
1. L=30mH,IAS=5.0A,VDD=100V,RG=25Ω,开始温度 TJ=25C;
2. 脉冲测试: 脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;
3. 基本上不受工作温度的影响。
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典型特性曲线
图1. 输出特性
图2. 传输特性
100
10
1
100
-55°C
25°C
VGS=4.5V
VGS=5V
VGS=5.5V
VGS=6V
VGS=7V
VGS=8V
VGS=10V
VGS=15V
150°C
10
1
注:
注:
1.250µS脉冲测试
2.VDS=50V
1.250µS脉冲测试t
2.VDS=50V
0.1
0.1
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
10
100
漏源电压–VDS(V)
栅源电压–VGS(V)
图4. 体二极管压降vs. 源极电流、温度
图3. 导通电阻vs. 漏极电流、栅极电压
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
100
10
1
注:
-55°C
VGS=10V
VGS=20V
1.250µS 脉冲测试
2.VGS=0V
25°C
150°C
注:TJ=25°C
0.1
0
2
4
8
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
漏极电流–ID(A)
漏源电压–VSD(V)
图6. 电荷量特性
图5. 电容特性
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
12
10
8
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
VDS=520V
VDS=325V
VDS=130V
Ciss
Coss
Crss
6
4
注:
1. VGS=0V
2. f=1MHz
2
注:ID=7A
0
20
25
0
5
10
15
0.1
1
10
100
漏源电压–VDS(V)
总栅极电荷–Qg(nC)
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典型特性曲线(续)
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典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
Qg
参数一致
10V
50KΩ
VDS
200nF
12V
300nF
Qgs
Qgd
VGS
待测器件
3mA
电荷量
开关时间测试电路及波形图
RL
VDS
VDS
90%
VGS
VDD
RG
待测器件
10%
VGS
10V
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
EAS测试电路及波形图
BVDSS
1
2
2
EAS =
LIAS
L
-
BVDSS VDD
VDS
BVDSS
IAS
ID
RG
待测器件
ID(t)
VDD
10V
VDS(t)
Time
VDD
tp
tp
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封装外形图
TO-220-3L
单位:毫米
4.30
1.00
1.80
0.60
1.00
4.50
1.30
2.40
0.80
4.70
1.50
2.80
1.00
1.60
0.30
0.70
16.10
10.00
15.10
15.70
9.20
8.10
9.60
9.90
10.40
2.54BSC
6.50
6.10
7.00
13.60
12.60
13.08
3.95
3.90
3.20
3.40
2.60
3.70
TO-220F-3L
单位:毫米
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封装外形图(续)
TO-263-2L
单位:毫米
声明:
士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最
新。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整
机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生!
产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品!
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SVF7N65T/F/S 说明书
产品名称:
SVF7N65T/F/S
文档类型: 说明书
公司主页: http: //www.silan.com.cn
版
权:
杭州士兰微电子股份有限公司
版
本:
2.8
修改记录:
1. 删除TO-263-2L 封装外形图
本: 2.7
修改记录:
版
1. 更新TO-262-3L 封装外形图
2. 增加TO-220-3L 带缺口立体图
版
本:
修改记录:
1. 更新TO-262-3L 封装外形图
本: 2.5
修改记录:
1. 更新电气参数
本: 2.4
修改记录:
1. 更新说明书模板
2.6
版
版
2. 更新TO-262-3L(1.1 版本)和TO-263-2L(1.2 版本)封装外形图
3. 更新TO-220-3L 立体图和TO-262-3L 的环保等级
版
本:
修改记录:
1. 修改TO-220F-3L 封装信息;修改TO-220-3L 封装信息
本: 2.2
修改记录:
1. 修改热阻特性
本: 2.1
修改记录:
1. 修改产品规格分类
本: 2.0
修改记录:
1. 修改产品规格分类
本: 1.9
修改记录:
1. 修改MOS 管符号的示意图
本: 1.8
修改记录:
1. 修改“封装外形图”
本: 1.7
修改记录:
2.3
版
版
版
版
版
版
1. 增加TO-263-2L 封装
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:2.8
共10 页 第9 页
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文档类型:说明书
版
本:
修改记录:
1. 增加TO-262-3L 封装
本: 1.5
修改记录:
1. 修改Trr 和Qrr 的值;修改图1
本: 1.4
修改记录:
1. 增加SVF7N65F 的无卤信息
本: 1.3
修改记录:
1. 修改“电性参数”、电容特性曲线
本: 1.2
修改记录:
1. 修改“封装外形图”
本: 1.1
修改记录:
1. 修改“极限参数”、“电性参数”
本: 1.0
修改记录:
1.6
版
版
版
版
版
版
1. 正式版本发布
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