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2SB108100MA 低IR肖特基二极管芯片 (LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS)
.型号:   2SB108100MA
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描述: 低IR肖特基二极管芯片
LOW IR SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
文件大小 :   19 K    
页数 : 1 页
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品牌   SILAN [ SILAN MICROELECTRONICS JOINT-STOCK ]
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100%
2SB108100MA
2SB108100MA低I
R
肖特基二极管芯片
描述
Ø
Ø
2SB108100MA是一个肖特基势垒二极管芯片
Lb
由于特殊的肖特基势垒结构,所述
芯片
具有非常低的反向漏电流(典型值
I
R
= 0.002毫安在Vr = 100V )和最大150℃
工作结点温度;
Ø
Ø
Ø
Ø
Ø
低功率损耗,效率高;
保护环结构的瞬态保护;
高ESD能力;
高浪涌能力;
包装的产品被广泛应用于开关
电源供应器,极性保护电路等
其它电子电路;
Ø
芯片尺寸: 1080μm X 1080μm ;
芯片厚度: 280 ± 20μm左右;
产品名称
2SB108100MAYY
规范
对于轴向引线封装
芯片地形和尺寸
LA:芯片尺寸: 1080μm ;
LB :垫尺寸: 985μm ;
订货说明
Ø
绝对最大额定值
参数
最大重复峰值反向电压
正向平均整流电流
峰值正向浪涌Current@8.3ms
最高工作结温
存储温度范围
符号
V
RRM
I
FAV
I
FSM
T
J
T
英镑
评级
100
2
50
150
-40~150
单位
V
A
A
°C
°C
电气特性(T
AMB
=25 )
参数
反向电压
正向电压
反向电流
符号
V
BR
V
F
I
R
测试条件
I
R
=1mA
I
F
=2A
V
R
=100V
分钟。
100
--
--
马克斯。
--
0.85
1
单位
V
V
mA
杭州士兰微电子股份有限公司
HTTP : www.silan.com.cn
REV : 1.0
2007.04.27
第1页1
La
在制造硅外延平面技术;
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