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MC74HC08AFEL  EEUFC1E182B  EEUFC1E152B  MC74HC04AFELG  EEUFC1E122SB  MC74HC04AFEL  MC74HC08ADG  EEUFC1E182L  EEUFC1E102B  EEUFC1E331LH  
STD320GK18 晶闸管,二极管模块,二极管,晶闸管模块 (Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules)
.型号:   STD320GK18
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描述: 晶闸管,二极管模块,二极管,晶闸管模块
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
文件大小 :   337 K    
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品牌   SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
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100%
STD/SDT320
晶闸管,二极管模块,二极管,晶闸管模块
尺寸mm (高度仅1mm = 0.0394" )
TYPE
V
RSM
V
帝斯曼
V
STD/SDT320GK08
900
STD/SDT320GK12
1300
STD/SDT320GK14
1500
STD/SDT320GK16
1700
STD/SDT320GK18
1900
V
RRM
V
DRM
V
800
1200
1400
1600
1800
符号
I
真有效值
, I
疲劳风险管理
T
VJ
=T
VJM
I
TAVM
, I
FAVM
T
C
=85
o
C; 180
o
正弦
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=45
o
C
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
V
R
=0
T
VJ
=T
VJM
F = 50Hz的,T
p
=200us
V
D
=2/3V
DRM
I
G
=1A
di
G
/dt=1A/us
测试条件
最大额定值
500
320
单位
A
I
TSM
, I
FSM
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
重复的,我
T
=960A
9200
9800
8000
8600
420000
400000
320000
306000
100
A
i
2
dt
A
2
s
( di / dt的)
cr
A /美
非重复性的,我
T
=320A
500
1000
120
60
20
10
-40...+140
140
-40...+125
V /美
W
W
V
o
( dv / dt的)
cr
P
GM
P
GAV
V
RGM
T
VJ
T
VJM
T
英镑
V
ISOL
M
d
重量
T
VJ
=T
VJM
;
V
DR
=2/3V
DRM
R
GK
= ;方法1 (线性电压升高)
T
VJ
=T
VJM
I
T
=I
TAVM
t
p
=30us
t
p
=500us
C
50 / 60赫兹, RMS
_
I
ISOL
<1mA
t=1min
t=1s
3000
3600
2.5-5/22-44
12-15/106-132
320
V~
纳米/ lb.in 。
g
安装扭矩( M5 )
终端连接扭矩( M8 )
典型的包括螺钉
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