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6000-0NB6-11001  6000-0NB1-11001  6000-0ND6-11001  6000-0LB5-11001  6000-0SD2-11001  6000-0NE1-11001  6000-0N01-11001  6000-0DD6-11001  6000-0DD5-11001  6000-0NE5-11001  
STD320GK18 晶闸管,二极管模块,二极管,晶闸管模块 (Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules)
.型号:   STD320GK18
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描述: 晶闸管,二极管模块,二极管,晶闸管模块
Thyristor-Diode Modules, Diode-Thyristor Modules
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品牌   SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
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100%
STD/SDT320
晶闸管,二极管模块,二极管,晶闸管模块
符号
I
RRM
I
DRM
V
T
, V
F
V
TO
r
T
V
GT
I
GT
V
GD
I
GD
I
L
I
H
t
gd
t
q
Q
S
I
RM
R
thJC
R
thJK
d
S
d
A
a
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
每个晶闸管/二极管;直流电流
每个模块
匍匐于地面的距离
通过空袭距离
最大允许的加速度
T
VJ
=25
o
℃;吨
p
= 30US ; V
D
=6V
I
G
= 0.45A ;迪
G
/dt=0.45A/us
T
VJ
=25
o
℃; V
D
= 6V ; ř
GK
=
T
VJ
=25
o
℃; V
D
=1/2V
DRM
I
G
= 1A ;迪
G
/dt=1A/us
T
VJ
=T
VJM
; I
T
= 300A ;吨
p
= 200us的; -di / DT = 10A /美
V
R
= 100V ;的dv / dt = 50V / us的; V
D
=2/3V
DRM
T
VJ
=125
o
℃;我
T
, I
F
= 400A ; -di / DT = 50A /美
典型值。
V
D
=6V;
V
D
=6V;
T
VJ
=T
VJM
;
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
T
VJ
=25
o
C
T
VJ
=-40
o
C
V
D
=2/3V
DRM
I
T
, I
F
= 600A ;牛逼
VJ
=25
o
C
对于只功率损耗的计算(T
VJ
=140
o
C)
测试条件
T
VJ
=T
VJM
; V
R
=V
RRM
; V
D
=V
DRM
特征值
70
40
1.32
0.8
0.82
2
3
150
200
0.25
10
200
150
2
200
760
275
0.112
0.056
0.152
0.076
12.7
9.6
50
单位
mA
mA
V
V
m
V
mA
V
mA
mA
mA
us
us
uC
A
K / W
K / W
mm
mm
M / S
2
特点
*国际标准套餐
*直接键合铜铝
2
O
3
- 陶瓷
BASE PLATE
*平面钝化芯片
*隔离电压3600 V〜
应用
*电机控制
*电源转换器
*热和温度控制。
工业窑炉和化工
过程的
*照明控制
*非接触式开关
优势
*空间和减轻重量
*安装简单
*改进的温度和功率
循环
*降低保护电路
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