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SUR2X100-12 超快速恢复外延二极管 (Ultra Fast Recovery Epitaxial Diodes)
.型号:   SUR2X100-12
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描述: 超快速恢复外延二极管
Ultra Fast Recovery Epitaxial Diodes
文件大小 :   106 K    
页数 : 3 页
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品牌   SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]
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100%
SUR2x100-12
超快速恢复外延二极管
尺寸SOT- 227 ( ISOTOP )
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
毫米
分钟。
马克斯。
31.50
7.80
4.09
4.09
4.09
14.91
30.12
37.80
11.68
8.92
0.76
12.60
25.15
1.98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-0.05
3.30
0.780
31.88
8.20
4.29
4.29
4.29
15.11
30.30
38.20
12.22
9.60
0.84
12.85
25.42
2.13
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
0.1
4.57
0.830
英寸
分钟。
马克斯。
1.240
0.307
0.161
0.161
0.161
0.587
1.186
1.489
0.460
0.351
0.030
0.496
0.990
0.078
0.195
1.045
0.155
0.186
0.968
-0.002
0.130
19.81
1.255
0.323
0.169
0.169
0.169
0.595
1.193
1.505
0.481
0.378
0.033
0.506
1.001
0.084
0.235
1.059
0.174
0.191
0.987
0.004
0.180
21.08
SUR2x100-12
V
RSM
V
1200
V
RRM
V
1200
R
S
T
U
V
W
符号
I
疲劳风险管理
I
FAVM
I
FRM
测试条件
T
VJ
=T
VJM
T
C
=50
o
℃;矩形的峰,d = 0.5
t
p
<10us ;众议员。评级,脉冲宽度限制T
VJM
T
VJ
=45
o
C
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
T = 10ms的( 50赫兹) ,正弦
T = 8.3ms的( 60赫兹) ,正弦
最大额定值
130
91
待定
900
970
810
870
4100
4000
3300
3200
-40...+150
150
-40...+150
单位
A
I
FSM
T
VJ
=150
o
C
T
VJ
=45
o
C
A
It
2
T
VJ
=150 C
o
A
2
s
T
VJ
T
VJM
T
英镑
P
合计
V
ISOL
M
d
重量
T
C
=25
o
C
50 / 60赫兹, RMS
_
I
ISOL
<1mA
安装力矩
终端连接力矩( M4)的
o
C
250
2500
1.5/13
1.5/13
30
W
V~
纳米/ lb.in 。
g
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