SIC9923L [SISEMIC]
North American thyristor dimming LED constant current driver chip;
| 型号： | SIC9923L |
| 厂家： | 
Shenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. |
| 描述： | North American thyristor dimming LED constant current driver chip |
| 文件： | 总8页 (文件大小：510K) |
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深圳深爱半导体股份有限公司
产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
北美地区可控硅调光 LED 恒流驱动芯片
SIC9922L/SIC9923L
概述:
SIC9922L/SIC9923L是一款高效率支持可控硅调光的LED驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续
模式，适用于北美地区可控硅调光LED照明应用。
SIC9922L/SIC9923L芯片内部集成300V功率MOSFET，芯片的工作电流极低，只需要极少的外围元
件，即可实现优异的恒流特性，极大的节约了系统成本和体积。
SIC9922L/SIC9923L具有多重保护功能，包括LED开路保护、LED短路保护、ISEN电阻短路保护，
欠压保护，芯片温度过热调节等。
SIC9922L/SIC9923L采用SOP-8封装。
特性:
· 支持可控硅调光
· LED短路保护
· 内部集成300V功率管
· 电感电流临界连续模式
· 芯片超低工作电流
· ±5% LED输出电流精度
· LED开路保护
· ISEN电阻短路保护
· 芯片供电欠压保护
· 过热调节功能
· 采用SOP-8封装
典型应用图
Si semiconductors
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SIC9922L/SIC9923L
订购信息
定购型号
封装
包装形式
打印
SI
编带
9922L
YMXXXX
SI
SIC992L
SOP-8
3,000pcs/盘
编带
9923L
YMXXXX
SIC993L
SOP-8
3,000pcs/盘
引脚图
SOP-8 产品
“Si”-深爱公司产品徽标
MMMM--产品型号(4位)；V--产品版本号(1位，可选）
XXXXXX--批码（6位）
引脚说明：
引脚号
符号
功能
1
2
GND
VLN
芯片地
线电压检测输入端
3
FB
过压保护信号采样端
芯片电源
4
VCC
5、6
7、8
DRAIN
ISEN
内部高压功率管漏极
电流采样端，采样电阻接在 ISEN 和 GND 端之间
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极限参数
项目
符号
VDRN
参数范围
-0.3～300
-0.3～6
-0.3～6
-0.3～6
10
单位
V
漏极电压
电流采样端电压
电压检测输入端电压
过零检测端电压
最大工作电流
最大耗散功率(Ta=25oC)
热阻结-环境
工作结温范围
存储温度范围
ESD
VISEN
VVLN
V
V
VFB
V
IDDMAX
Ptot
mA
W
0.45
Rthj-a
TJ
145
℃/W
℃
℃
V
-40～150
-55～150
2,000
TSTG
注：超过极限参数范围，本产品的性能及可靠性将得不到保障，实际使用中不得超过极限参数范围。
电气特性
无特别说明情况下VDD=15V, TA=25 ℃
符号
描述
VDD_ON
VDD_UVLO
IST
条件
最小值
典型值
13.8
9
最大值
单位
V
VDD 启动电压
VDD欠压保护阈值
VDD 启动电流
VDD 工作电流
VDD 钳位电压
VDD 上升
VDD 下降
VDD= VDD_ON-1V
F =70KHZ
IDD = 1mA
V
110
180
180
uA
uA
V
IOP
100
VDD_CLAMP
18.8
电流检测阈值
短路时电流检测阈值
前沿消隐时间
388
400
200
350
200
3
412
mV
mV
ns
ns
V
VCS_TH
VCS_SHORT
TLEB
输出短路
芯片关断延迟
TDELAY
VVLN_TH
RVLN
线电压前馈阈值
线电压前馈输入阻抗
最小退磁时间
200
2.6
240
10
kΩ
us
us
us
V
TOFF_MIN
TOFF_MAX
TON_MAX
VFB_OVP
最大退磁时间
最大开通时间
FB 过压保护阈值
1
SIC9922L
SIC9923L
3.5
2.0
4.0
2.5
MOSFET
RDS_ON
VGS=15V/IDS=0.5A
Ω
导通电阻
功率管击穿电压
300
BVDSS
IDSS
VGS=0V/IDS=250uA
VGS=0V/VDS=300V
V
功率管漏电流
过温调节温度
1
uA
℃
TREG
150
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功能框图
应用说明
功能说明：
SIC9922L/SIC9923L是一款高效率支持可控硅调光的LED驱动芯片，适用于北美地区可控硅调光LED
照明应用。芯片内部集成300V功率开关，只需要极少的外围组件就可以达到优异的恒流特性。极大的节
约了系统成本和体积。
启动:
系统上电后，母线电压通过启动电阻对VDD电容充电，当VDD电压达到芯片开启阈值时，芯片内部控
制电路开始工作。SIC9922L/SIC9923L内置18.8V稳压管，用于钳位VDD电压。当输出电压建立之后，VDD
由输出电压供电。
恒流控制：
芯片逐周期检测电感的峰值电流，ISEN端连接到内部的峰值电流比较器的输入端，与内部400mV 阈
值电压进行比较，当ISEN端电压达到内部检测阈值时，功率管关断。
电感峰值电流的计算公式为：
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400
IPK
(mA)
；
RISEN
其中，RISEN为电流采样电阻阻值。
ISEN比较器的输出还包括一个350nS 前沿消隐时间。
VLN脚起到检测调光器相角调整输出电流的作用。
VLN脚的应用示意图如图4，当VLN脚电压高于3V时，CS内部400mV检测阈值开始线性下降，如图5所示。当
VLN脚不使用时，可以接地或浮空。
储能电感：
SIC9922L/SIC9923L工作在电感电流临界模式，当功率管导通时，流过储能电感的电流从零开始上
升，导通时间为：
L IPK
VIN VLED
tON
；
其中，
L是电感量；
IPK是电感电流的峰值；
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VIN是经整流后的母线电压；
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芯片内部设定的最大导通时间为10us。
当功率管关断时，流过储能电感的电流从峰值开始往下降，当电感电流下降到零时，芯片内部逻辑再次
将功率管导通。功率管的关断时间为：
L IPK
VLED
tOFF
；
储能电感的计算公式为
VLED (VIN VLED
f IPK VIN
)
L
；
其中，f是系统最大工作频率。
SIC9922L/SIC9923L的系统工作频率和输入电压呈正相关关系，设置SIC9922L/SIC9923L系统工作频
率时，选择在输入电压最低时设置系统的最低工作频率，而当输入电压最高时，系统的工作频率也最高。
过压保护电阻设置：
FB引脚用来探测输出过压保护(OVP)，阈值为1V。
FB的上下分压电阻比例可以设置为：
RFBL
1
；
RFBL RFBH VOVP
其中，
RFBL是反馈网络的下分压电阻；
RFBH是反馈网络的上分压电阻；
VOVP是输出电压过压保护设定点；
为了提高系统频率，FB下分压电阻可以设置在5KΩ左右。
保护功能：
SIC9922L/SIC9923L内置多种保护功能，包括LED开路/短路保护，CS电阻短路保护，VDD欠压保护，
芯片温度过热调节等。
当输出LED开路时，随着输出电压的上升，当FB引脚检测到大于1V的电压时，系统会触发过压保
护逻辑并停止开关工作。
当LED短路时，系统工作在4KHz低频，ISEN关断阈值降低到200mV，所以功耗很低。当有些异常的
情况发生时，比如ISEN采样电阻短路或者变压器饱和，芯片内部的快速探测电路会触发保护逻辑，系统
马上停止开关工作。
系统进入保护状态后，VDD电压开始下降；当VDD到达欠压保护阈值时，系统将重启。同时系统不
断的检测负载状态，如果故障解除，系统会重新开始正常工作。
过温调节功能：
SIC9922L/SIC9923L 具有过热调节功能，在驱动电源过热时逐渐减小输出电流，从而控制输出功
率和温升，使电源温度保持在设定值，以提高系统的可靠性。芯片内部设定过热调节温度为 150℃。
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PCB 设计:
在设计SIC9922L/SIC9923L PCB时，需要遵循以下指南：
旁路电容
VDD的旁路电容需要紧靠芯片VDD和GND引脚。
过压保护电阻
过压保护电阻需要尽量靠近芯片FB引脚。且节点要远离功率电感的动点。
VLN引脚
VLN分压电阻和滤波电容需要尽量靠近芯片VLN引脚。且VLN节点要远离高压节点和噪声源。
地线
电流采样电阻的功率地线尽可能粗，且要离芯片的 GND 脚尽量近。另外，FB 脚的电阻到芯片 GND 脚的连
线应尽可能短。
功率环路的面积
减小功率环路的面积，如功率管、母线电容和续流二极管的环路面积，以减小EMI辐射。
DRAIN引脚
增加DRAIN引脚的铺铜面积以提高芯片散热。
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SOP8 封装机械尺寸
SOP8 MECHANICAL DATA
单位:毫米/UNIT：mm
符号
最小值
典型值
最大值
符号
最小值
典型值
最大值
SYMBOL
min
nom
max
SYMBOL
min
nom
max
A
4.80
0.37
5.00
0.47
C
1.30
0.55
0.55
0.05
0.19
1.50
0.75
0.65
0.20
0.23
A1
A2
A3
B
B1
B2
C1
C2
C3
C4
D
1.27 TYP
0.41 TYP
5.80
3.80
6.20
4.00
0.20TYP
1.05TYP
5.0TYP
D1
0.40
0.62
Si semiconductors
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