PSMN4R8-100YSE
N-channel 100 V, 4.8 mOhm MOSFET with enhanced SOA in LFPAK56EProduction
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NEXPERIA
V4P22CHM3/H
High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier
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VISHAY
MSP430FR5859IDA
具有 64KB FRAM、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU | DA | 38 | -40 to 85
时钟 静态存储器 光电二极管 外围集成电路 比较器 装置
TI
BD5228G-2M
罗姆的延迟时间自由设置型CMOS电压检测器IC系列是内置了采用CMOS工艺的高精度、低消耗电流延迟电路的CMOS RESET IC系列。可通过外接电容器设定延迟时间。为保证客户可根据应用进行选择，备有Nch漏极开路输出(BD52xx-2M)系列和CMOS输出(BD53xx-2M)系列产品。备有检测电压为0.9V～5.0V的0.1V阶跃的产品阵容。在-40°C到105°C的整个工作温度范围内，将延迟时间精度控制在±30%内。
电容器
ROHM
RCA0805MFHEG
Automotive, Sulfur Resistant Lead (Pb)-Free Thick Film, Rectangular Chip Resistors
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VISHAY
