S29CD016G0MFAI000 [SPANSION]

32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O; 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
S29CD016G0MFAI000
元器件型号: S29CD016G0MFAI000
生产厂家: SPANSION    SPANSION
描述和应用:

32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O

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型号参数:S29CD016G0MFAI000参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA80,8X10,40
针数80
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.51
风险等级5.67
最长访问时间64 ns
其他特性SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK
启动块TOP
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PBGA-B80
JESD-609代码e0
长度13 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度32
湿度敏感等级3
功能数量1
部门数/规模16,30
端子数量80
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX32
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA80,8X10,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
电源1.8/3.3,2.6 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.4 mm
部门规模2K,16K
最大待机电流0.00006 A
子类别Flash Memories
最大压摆率0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)2.75 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)2.6 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度11 mm
Base Number Matches1