元器件型号: | S29CD016G0MFAI000 |
生产厂家: | SPANSION |
描述和应用: | 32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O |
PDF文件: | 总87页 (文件大小:2161K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:S29CD016G0MFAI000参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LBGA, BGA80,8X10,40 |
针数 | 80 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.51 |
风险等级 | 5.67 |
最长访问时间 | 64 ns |
其他特性 | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK |
启动块 | TOP |
命令用户界面 | YES |
通用闪存接口 | YES |
数据轮询 | YES |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B80 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 16777216 bit |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 32 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
部门数/规模 | 16,30 |
端子数量 | 80 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX32 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装等效代码 | BGA80,8X10,40 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 1.8/3.3,2.6 V |
编程电压 | 2.7 V |
认证状态 | Not Qualified |
就绪/忙碌 | YES |
座面最大高度 | 1.4 mm |
部门规模 | 2K,16K |
最大待机电流 | 0.00006 A |
子类别 | Flash Memories |
最大压摆率 | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.75 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.6 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
切换位 | YES |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 11 mm |
Base Number Matches | 1 |
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O