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S25FL128SAGBHIG10 的MirrorBit闪存非易失性存储器CMOS 3.0伏核心与通用I / O和多I串行外设接口/ O (MirrorBit Flash Non-Volatile Memory CMOS 3.0 Volt Core with Versatile I/O Serial Peripheral Interface with Multi-I/O)
.型号:   S25FL128SAGBHIG10
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描述: 的MirrorBit闪存非易失性存储器CMOS 3.0伏核心与通用I / O和多I串行外设接口/ O
MirrorBit Flash Non-Volatile Memory CMOS 3.0 Volt Core with Versatile I/O Serial Peripheral Interface with Multi-I/O
文件大小 :   5402 K    
页数 : 153 页
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品牌   SPANSION [ SPANSION ]
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S25FL128S和S25FL256S
S25FL128S 128兆位( 16兆字节)
S25FL256S 256兆位( 32兆字节)
的MirrorBit
®
闪存非易失性存储器
CMOS 3.0伏核心与通用I / O
串行外设接口与多功能I / O
数据表
特点
密度
- 128兆比特( 16字节)
- 256兆位( 32兆字节)
数据保留
- 20年的数据保存典型
安全功能
- 1024字节的一次性编程( OTP )阵列
- 块保护:
- 状态寄存器来控制保护程序或
擦除扇区的连续范围。
- 硬件和软件控制选项
- 高级扇区保护( ASP )
- 个别部门受保护的引导代码或密码控制
串行外设接口(SPI )
SPI时钟极性和相位模式0和3
双倍数据速率( DDR )选项
扩展寻址: 24位或32位地址的选项
串口命令集和足迹与S25FL -A兼容,
S25FL - K和S25FL -P的SPI家庭
- 多I / O的命令集和足迹兼容
S25FL -P SPI系列
读取命令
- 正常,快速,双路,四路,高速DDR , DDR双通道,四通道DDR
- 自动引导 - 上电或复位,并执行正常或四读
自动命令在一个预定的地址
- 通用闪存接口( CFI )数据配置信息。
Spansion公司
®
65纳米MirrorBit技术与Eclipse
架构
内核电源电压: 2.7V至3.6V
I / O电源电压: 1.65V至3.6V
- SO16和FBGA封装
编程(1.5兆字节/秒)
- 256或512字节的页编程缓冲区选项
- 四输入页编程( QPP )慢时钟系统
温度范围:
=工业( -40
°
C至+ 85
°
C)
- 汽车舱内( -40
°
C至+105
°
C)
擦除(0.5至0.65兆字节/秒)
- 混合扇区大小的选择 - 32 4千字节扇区的物理集合
在顶部或地址空间底部的其余所有部门
64字节,与前一代S25FL设备的兼容性
- 统一的行业选择 - 永远抹去256千字节块的软件
具有较高的密度和未来设备的兼容性。
套餐(全无铅)
- 16引脚SOIC ( 300万)
- WSON 6毫米x 8毫米
- BGA - 24 6毫米x 8毫米
- 5× 5球( FAB024 )和4 ×6球( FAC024 )尺寸选项
- 已知合格芯片和已知测试裸片
自行车耐力
- 典型的任何部门100000程序擦除周期
公开号
S25FL128S_256S_00
调整
05
发行日期
2012年7月12日
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