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S29CD -G系列闪存
S29CD032G , S29CD016G
32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位)
2.5伏只突发模式,双启动,同步读/
写闪存与VersatileI / O ™具有170纳米
工艺技术
数据表
初步
请注意,以读者:
这份文件指出目前的技术规格
关于本文所描述的飞索产品(S) 。的初步状态
本文表明产品合格已经完成,并
那最初的生产已经开始。由于在制造的各个阶段
需要保持效率和质量的过程中,这个文件可能是
在随后的版本​​或修改由于改变技术修改
特定连接的阳离子。
注意:
这份文件将取代数据表信息的S29CD016G修订A4和
S29CD032G修订B0 。该S29CD -G设备的厂家推荐的迁移路径。
请参考规格和订货信息该文档中找到。
公开号
S29CD-G_00
调整
B
修订
0
发行日期
二○○五年十一月十四日
本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。别
在设计该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
P ř Ë L I M I N A RŸ
请注意在数据表牌号
Spansion公司发布的数据表具有超前信息或初步指示来提醒
产品信息在整个产品生命周期的读者或打算规格, includ-
荷兰国际集团开发,认证,初期生产,满负荷生产。在所有的情况下,但是,
我们鼓励读者以验证它们是否有最新的信息,最终确定自己的DE-前
签收。 Spansion的数据表名称的下面说明在此呈现给
彰显他们的存在和定义。
超前信息
事前信息认证表明Spansion公司正在开发一个或更有针对性
cific产品,但并没有承诺任何设计到生产。在提交信息
与此指定文件很可能会改变,并且在某些情况下,开发上在本产品
UCT可能会停止。因此, Spansion公司在提前放置在下列条件
信息内容:
“本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该
信息旨在帮助您评估该产品。本产品不CON-不要设计
tacting工厂。 Spansion公司保留对本建议修改权利或停止工作
产品,恕不另行通知。 “
初步
预指定表示该产品的开发已取得进展,使得一
致力于生产已经发生。此指定涵盖了产品的几个方面
生命周期,包括产品合格,初始生产,并在后续阶段
满负荷生产达到之前发生的制造工艺。更改技术
在初步号文件提出要规范,同时保持这些AS-预期
生产正在考虑pects 。飞索放置于以下条件
初步内容:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。本文件的初步情况显示,产品合格已经完成,
而且最初的生产已经开始。由于在制造过程中,需要相
保持效率和质量,这个文件可以通过后续的版本或modifica-修改
由于系统蒸发散变化的技术规范“。
组合
有些数据表包含的产品具有不同的名称(组合提前在 -
形成初步或全部生产) 。这种类型的文件将区分这些产品
和它们的名称在必要时,通常在第一页,订货信息
页面,并与DC特性表和AC擦除和编程表页(表
注释) 。在第一页的免责声明是指读者在此页上的通知。
满负荷生产(在文件没有指定)
当产品已经生产了一段时间,使得不改变或仅标称
改变预期,初步指定从数据表中删除。公称
变化可以包括那些影响订货可用的部件号,如数量
另外的一个速度的选择,温度范围,包类型,或V或缺失
IO
范围内。变化
也包括那些需要澄清说明或纠正拼写错误或新断路器
RECT规范。 Spansion公司采用下列条件这一类的文件:
“这份文件指出目前的技术规范关于Spansion公司产品(第)描述
在本文中。 Spansion公司认为该产品已经在足够的生产量,这样子
本文档的序贯版本预计不会改变。但是,印刷或者规格
更正或修改提供可能发生的有效组合。 “
有关这些文件名称的问题,可向当地的AMD或富士通
销售网络的CE 。
ii
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
S29CD -G系列闪存
S29CD032G , S29CD016G
32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位)
2.5伏只突发模式,双启动,同步读/
写闪存与VersatileI / O ™具有170纳米
工艺技术
数据表
初步
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 从一个银行中读取数据,而执行擦除/
在其他银行的程序功能
•读取和写入操作之间的零延迟
- 两个银行的体系结构:大银行/中小银行
75%/25%
用户定义的X32数据总线
双引导块
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
灵活的部门架构
- CD032G :八2K双字,有六十二16K
双字,八2K双字部门
- CD016G :八2K双字,三十二个16K
双字,八2K双字部门
安全硅扇区( 256字节)
工厂锁定和识别:
16字节的安全,
随机出厂的电子序列号;也知道
作为电子标识
在170纳米制程技术制造
可编程突发接口
- 接口的任何高性能的处理器
- 线性突发读操作: 2 , 4 , 8双
带或不带绕包字线爆裂
程序运行
- 执行同步和异步写入
突发配置寄存器的设置操作
独立地
单电源工作
- 优化的2.5至2.75伏读,擦除和
方案业务
与JEDEC标准兼容( JC42.4 )
- 软件与单电源闪存兼容
- 与AMD /富士通Am29LV向后兼容/
MBM29LV和Am29F / MBM29F快闪记忆体
- 待机模式: CMOS : 60 μA(最大值)
每个扇区的典型百万的写入周期
20年数据保留典型
VersatileI / O ™控制
- 生成数据的输出电压和容忍数据
输入电压为通过对所述电压测定
V
IO
- 1.65 V至3.60 V兼容的I / O信号
软件特点
持久扇区保护
- 个别部门和行业的组合锁
基团,以防止编程或擦除操作
该部门内的(只需要V
CC
级别)
密码扇区保护
- 个别部门和行业的组合锁
基团,以防止编程或擦除操作
使用用户自定义64位的部门
密码
支持通用闪存接口( CFI )
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
数据#查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
硬件特性
程序挂起/恢复&擦除挂起/
简历
- 挂起编程或擦除操作,使
读取,编程或擦除在同一家银行
硬件复位( RESET # ) ,就绪/忙# ( RY /
BY # ) ,和写保护( WP # )输入
ACC输入
- 加速编程时间为更高的吞吐量
系统在生产过程中
封装选项
- 80引脚PQFP
- 80 - ball加固BGA
- 无铅封装也可以选择
- 已知合格芯片
性能特点
高性能的读取访问权限
- 48纳秒( 32 MB)和54初始/随机存取时间
NS ( 16 MB)
- 突发存取的7.5纳秒( 32 MB)或9毫微秒的时间( 16兆)
超低功耗
- 突发模式读90毫安, 75 MHz的最大
- 编程/擦除: 50mA以下
公开号
S29CD-G_00
调整
B
修订
0
发行日期
二○○五年十一月十四日
本文件包含有关正在开发的Spansion LLC的一个或多个产品的信息。该信息旨在帮助您评估该产品。别
在设计该产品无需联系工厂。 Spansion公司保留对本建议的产品更改或停止工作,恕不另行通知。
P ř Ë L I M I N A RŸ
概述
该S29CD -G闪存系列是一个突发模式,双启动, Flash的同步读/写家庭
内存与VersatileI / O ™ 170纳米工艺技术​​制造。
该S29CD032G是32兆, 2.6伏只( 2.50 V - 2.75 V)单电源供电突发模式
可以为1,048,576双字被配置闪存装置。
该S29CD016G是16兆, 2.6伏只( 2.50 V - 2.75 V)单电源供电突发模式
可以为524288双字被配置闪存装置。
为了消除总线争用,每个设备都有独立的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和
输出使能( OE # )控制。额外的控制输入端都需要同步突发能操作
ations :负载突发地址有效(ADV # )和时钟(CLK) 。
每个设备只需要一个2.6伏只( 2.50 V - 2.75 V)的读取和写入功能
系统蒸发散。 12.0伏V
PP
不需要用于编程或擦除操作,尽管加速度
引脚可如果需要更快的编程性能。
该设备完全命令集与JEDEC单电源闪存标兼容
准。该软件的命令集与5 V Am29F或命令集兼容
MBM29F和3 V Am29LV或MBM29LV闪存系列。命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到IN-
ternal状态机控制的擦除和编程电路。写周期也
内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。阅读
数据输出设备的是类似于其他Flash或EPROM器件读取。
解锁绕道
模式,要求只有两个写周期有利于更快的编程时间
编程数据,而不是四个。
同时读/写架构
通过将提供同步操作
存储空间分成两个组。该设备可以开始编程或擦除在一家银行,并
然后同时从其他银行的读,零延迟。这种释放系统从
等待完成程序或擦除操作。看
同时读/写操作
系统蒸发散概述。
该装置提供了一个256字节的
安全硅行业
包含电子标识Infor公司
息,便于设备的可追溯性。
此外,该器件具有几个级别部门保护,它可以禁用这两个亲
克和擦除操作在某些部门或行业团体:
持久扇区保护
is
命令扇区保护方法,它取代了旧的12 V控制的保护方法;
密码扇区保护
是,需要一个口令一个高度复杂的保护方法
改变某些部门或行业团体字前允许;
WP #硬件
保护
防止编程或擦除在最外边的两个8字节扇区的大银行。
该设备默认的持久扇区保护模式。客户如果必须,然后选择
标准或密码保护方法是最可取的。在WP #硬件保护
特点是始终可用,独立选择的其他保护方法。
VersatileI / O (V
CCQ
)
功能允许在设备上产生的输出电压,以被去
termined基于在V
IO
的水平。此功能允许器件在1.8 VI / O操作
的环境中,驱动信号和接收信号,并从同一总线上的其它1.8 V设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成时,通过观察
RY / BY #引脚,通过读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期完成时,该装置已准备好读取阵列数据或接收到另一个命令。
扇区擦除架构
允许存储扇区进行擦除和重新编程,而不
影响到其他部门的数据内容。从运时,该设备被完全擦除
工厂。
2
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
P ř Ë L I M I N A RŸ
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写
在电源转换操作。该
密码和软件部门的保护
特征
禁用这两个方案,并在内存领域的任何组合擦除操作。这可以
在系统在V来实现
CC
的水平。
编程/擦除暂停/删除恢复
功能使用户把擦除搁置
任何一段时间来读取数据,或程序数据,即不选择任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止正在进行的任何操作,并复位内部状态
机读取阵列的数据。
该器件提供两种省电功能。当地址是稳定为指定的量
时间,设备进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗在这两种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪存制造经验,生产
最高级别的质量,可靠性和成本效益。该装置电擦除所有
通过福勒- Nordheim隧穿同时一个行业内的位。的数据被编程
用热电子注入。
二○○五年十一月十四日S29CD , G_00_B0
S29CD -G系列闪存
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    SPANSION
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