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S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
文件大小 :   2161 K    
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
产品选择指南
产品型号
标准电压范围:
V
CC
= 2.5 – 2.75 V
V
IO
= 1.65 – 2.75 V
0R
( 75兆赫)
(只有32 MB)
48
7.5 FBGA
75
3
52
S29CD -G系列闪存
( S29CD032G , S29CD016G )
同步/连拍或异步
0P
( 66兆赫)
54
9 FBGA /
9.5 PQFP
66
3
58
20
0M
( 56兆赫)
64
10 FBGA /
10 PQFP
56
3
69
0J
( 40兆赫)
67
17
40
2
71
28
速度选项(时钟速率)
最大初始/异步访问时间, NS (T
)
最大突发访问延迟(ns )
最大时钟速率(兆赫)
最小初始时钟延时(时钟周期)
最大CE#访问, NS (T
CE
)
最大OE #访问, NS (T
OE
)
二○○五年十一月十四日S29CD , G_00_B0
S29CD -G系列闪存
9
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