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ATV750BL-25KC  RSM0012  ATV750B-10KM  RSF56Y100RB530  ATV750BQ25DI  RSH7F.060013  RSF45Y050QF  ATV750BQ-10PC  ATV750BQ15PC  RSH4K.060026  
S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
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品牌   SPANSION [ SPANSION ]
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
概述
该S29CD -G闪存系列是一个突发模式,双启动, Flash的同步读/写家庭
内存与VersatileI / O ™ 170纳米工艺技术​​制造。
该S29CD032G是32兆, 2.6伏只( 2.50 V - 2.75 V)单电源供电突发模式
可以为1,048,576双字被配置闪存装置。
该S29CD016G是16兆, 2.6伏只( 2.50 V - 2.75 V)单电源供电突发模式
可以为524288双字被配置闪存装置。
为了消除总线争用,每个设备都有独立的芯片使能( CE # ) ,写使能( WE# )和
输出使能( OE # )控制。额外的控制输入端都需要同步突发能操作
ations :负载突发地址有效(ADV # )和时钟(CLK) 。
每个设备只需要一个2.6伏只( 2.50 V - 2.75 V)的读取和写入功能
系统蒸发散。 12.0伏V
PP
不需要用于编程或擦除操作,尽管加速度
引脚可如果需要更快的编程性能。
该设备完全命令集与JEDEC单电源闪存标兼容
准。该软件的命令集与5 V Am29F或命令集兼容
MBM29F和3 V Am29LV或MBM29LV闪存系列。命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到IN-
ternal状态机控制的擦除和编程电路。写周期也
内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。阅读
数据输出设备的是类似于其他Flash或EPROM器件读取。
解锁绕道
模式,要求只有两个写周期有利于更快的编程时间
编程数据,而不是四个。
同时读/写架构
通过将提供同步操作
存储空间分成两个组。该设备可以开始编程或擦除在一家银行,并
然后同时从其他银行的读,零延迟。这种释放系统从
等待完成程序或擦除操作。看
该装置提供了一个256字节的
安全硅行业
包含电子标识Infor公司
息,便于设备的可追溯性。
此外,该器件具有几个级别部门保护,它可以禁用这两个亲
克和擦除操作在某些部门或行业团体:
持久扇区保护
is
命令扇区保护方法,它取代了旧的12 V控制的保护方法;
密码扇区保护
是,需要一个口令一个高度复杂的保护方法
改变某些部门或行业团体字前允许;
WP #硬件
保护
防止编程或擦除在最外边的两个8字节扇区的大银行。
该设备默认的持久扇区保护模式。客户如果必须,然后选择
标准或密码保护方法是最可取的。在WP #硬件保护
特点是始终可用,独立选择的其他保护方法。
VersatileI / O (V
CCQ
)
功能允许在设备上产生的输出电压,以被去
termined基于在V
IO
的水平。此功能允许器件在1.8 VI / O操作
的环境中,驱动信号和接收信号,并从同一总线上的其它1.8 V设备。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成时,通过观察
RY / BY #引脚,通过读DQ7 (数据#查询) ,或DQ6 (切换)
状态位。
一个程序后,
或擦除周期完成时,该装置已准备好读取阵列数据或接收到另一个命令。
扇区擦除架构
允许存储扇区进行擦除和重新编程,而不
影响到其他部门的数据内容。从运时,该设备被完全擦除
工厂。
2
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
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