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S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写
在电源转换操作。该
密码和软件部门的保护
特征
禁用这两个方案,并在内存领域的任何组合擦除操作。这可以
在系统在V来实现
CC
的水平。
编程/擦除暂停/删除恢复
功能使用户把擦除搁置
任何一段时间来读取数据,或程序数据,即不选择任何扇区
擦除。真实背景擦除因此可以实现。
硬件RESET #引脚
终止正在进行的任何操作,并复位内部状态
机读取阵列的数据。
该器件提供两种省电功能。当地址是稳定为指定的量
时间,设备进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗在这两种模式下大大降低。
AMD的闪存技术,结合多年的闪存制造经验,生产
最高级别的质量,可靠性和成本效益。该装置电擦除所有
通过福勒- Nordheim隧穿同时一个行业内的位。的数据被编程
用热电子注入。
二○○五年十一月十四日S29CD , G_00_B0
S29CD -G系列闪存
3
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