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GP10W1102415  GOX80107  GP10Y  GP10B  GP10W1101439  GP10W0102439  GP12120  GP10US12  GP08B  GP10M  
S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
文件大小 :   2161 K    
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品牌   SPANSION [ SPANSION ]
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
AC特性
异步读取操作
参数
JEDEC标准。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
RC
描述
读周期时间(注1 )
测试设置
CE# = V
IL
最大
OE # = V
IL
OE # = V
IL
最大
最大
最大
最大
速度选项
75兆赫, 66兆赫, 56兆赫, 40兆赫,单位
0R
0P
0M
OJ
48
48
52
54
54
58
20
10
2
10
0
10
2
64
64
69
67
67
71
28
ns
t
地址输出延迟
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
芯片使能到输出延迟
输出使能到输出延迟
芯片使能到输出高Z
输出使能到输出高Z
切换和数据#投票
t
OEH
输出使能保持时间
t
AXQX
t
OH
输出保持时间从地址, CE #或OE # ,无论
发生网络RST
注意事项:
1.
2.
未经100%测试。
SEE
测试规范
t
RC
地址
CE#
t
OE
t
OEH
WE#
高Z
输出
RESET#
RY / BY #
输出有效
t
CE
t
OH
高Z
t
DF
地址稳定
t
OE #
0V
图15 。
传统的读操作时序
68
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
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