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描述：
2SC4745  1N5820-E3/54  1ER3  327-501-04  177-705H31SSPU  10VR3  0876391011  177-705H37SSSM  1N5822  177-705H15SSPM  
S29CD016G0MFAI112 32兆位（ 1M ×32位） ， 16兆位（ 512K ×32位）， 2.5伏只突发模式，双启动，同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号：   S29CD016G0MFAI112
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描述： 32兆位（ 1M ×32位） ， 16兆位（ 512K ×32位）， 2.5伏只突发模式，双启动，同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
文件大小 ：   2161 K    
页数 ： 87 页
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品牌 ：   SPANSION [ SPANSION ]
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
AC特性
擦除命令序列（最后两个周期）
t
WC
地址
2AAh
t
AS
SA
555H芯片擦除
阅读状态数据
VA
t
AH
VA
CE＃
t
CH
t
WP
WE＃
t
CS
t
DS
t
DH
数据
55h
30h
10芯片擦除
In
进度
完整
OE ＃
t
WPH
t
WHWH2
t
忙
RY / BY ＃
t
VCS
V
CC
t
RB
注意：
SA =扇区地址（扇区擦除），用于读取状态数据， VA =有效的地址（见
写操作状态） 。
图21 。
t
WC
地址
有效的PA
芯片/扇区擦除操作时序
t
RC
有效的RA
t
WC
有效的PA
t
WC
有效的PA
t
AH
t
加
CE＃
t
CE
t
OE
OE ＃
t
OEH
t
WP
WE＃
t
WPH
t
DS
t
DH
数据
有效
In
t
CPH
t
CP
t
GHWL
t
WPH
t
DF
t
OH
有效
OUT
有效
In
有效
In
t
SR / W
WE ＃控制的写周期
读周期
CE ＃控制的写周期
图22 。
背到背周期时序
74
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日，
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