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S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
文件大小 :   2161 K    
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
AC特性
擦除命令序列(最后两个周期)
t
WC
地址
2AAh
t
AS
SA
555H芯片擦除
阅读状态数据
VA
t
AH
VA
CE#
t
CH
t
WP
WE#
t
CS
t
DS
t
DH
数据
55h
30h
10芯片擦除
In
进度
完整
OE #
t
WPH
t
WHWH2
t
RY / BY #
t
VCS
V
CC
t
RB
注意:
SA =扇区地址(扇区擦除),用于读取状态数据, VA =有效的地址(见
图21 。
t
WC
地址
有效的PA
芯片/扇区擦除操作时序
t
RC
有效的RA
t
WC
有效的PA
t
WC
有效的PA
t
AH
t
CE#
t
CE
t
OE
OE #
t
OEH
t
WP
WE#
t
WPH
t
DS
t
DH
数据
有效
In
t
CPH
t
CP
t
GHWL
t
WPH
t
DF
t
OH
有效
OUT
有效
In
有效
In
t
SR / W
WE #控制的写周期
读周期
CE #控制的写周期
图22 。
背到背周期时序
74
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
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