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S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
文件大小 :   2161 K    
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
AC特性
t
RC
地址
VA
t
t
CE
CE#
t
CH
OE #
t
OEH
WE#
t
OH
DQ7
有效数据
高Z
t
WC
VA
VA
t
OE
t
DF
数据
t
RY / BY #
状态数据
状态数据
有效数据
高Z
注意:
VA =有效地址。图显示了第一个状态周期的命令序列后,最后状态读周期,和数组
数据读取周期。
图23 。
数据#投票计时(在嵌入式算法)
t
RC
地址
VA
t
t
CE
CE#
t
CH
OE #
t
OEH
WE#
t
OH
DQ6/DQ2
t
RY / BY #
高Z
VA
VA
VA
t
OE
t
DF
有效状态
(第一次读)
有效状态
(二读)
有效状态
(停止切换)
有效数据
注意:
VA =有效的地址;不需要DQ6 。图显示的命令序列,最后台站后,前两个周期中的地位
土族读周期,和数组数据读周期。
图24.触发位计时(在嵌入式算法)
二○○五年十一月十四日S29CD , G_00_B0
S29CD -G系列闪存
75
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