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S29CD016G0MFAI112 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O (32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O)
.型号:   S29CD016G0MFAI112
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描述: 32兆位( 1M ×32位) , 16兆位( 512K ×32位), 2.5伏只突发模式,双启动,同步读/写快闪记忆体与VersatileI / O
32 Megabit (1M x 32-Bit), 16 Megabit (512K x 32-Bit) 2.5 Volt-only Burst Mode, Dual Boot, Simultaneous Read/ Write Flash Memory with VersatileI/O
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100%
P ř Ë L I M I N A RŸ
AC特性
WE#
进入嵌入式
删除
抹去
抹去
暂停
进入擦除
暂停程序
擦除挂起
节目
抹去
简历
擦除挂起
抹去
抹去
完整
擦除挂起
DQ6
DQ2
注意:
该系统可以使用CE #或OE #切换DQ2和DQ6 。只在一个地址内读取时DQ2切换
擦除悬浮部门。
图25 。
DQ2与DQ6擦除/擦除暂停运营
CE#
CLK
AVD #
地址
VA
VA
OE #
t
OE
t
OE
状态数据
状态数据
数据
RDY
注意事项:
1.
2.
3.
4.
时序类似于同步读取时序和异步数据轮询时序/翻转位时序。
VA =有效的地址。两个读周期来确定状态。当嵌入式算法操作
完成后,触发位停止切换。
RDY有效数据( A18 = 0的配置寄存器) 。当A18 = 1的配置寄存器, RDY是
数据之前活跃的一个时钟周期。
数据查询要求突发存取时间延迟。
图26.同步数据轮询定时/触发位计时
76
S29CD -G系列闪存
2005年S29CD - G_00_B0 11月14日,
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